[发明专利]一种用于水解制氢的废硅片处理方法有效

专利信息
申请号: 202011401535.1 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112429701B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 暴云佳;曹江行;张佳颖;赵乐;范美强 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: C01B3/06 分类号: C01B3/06;C01B3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 水解 硅片 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种用于水解制氢的废硅片处理方法,包括:

1)裁剪废硅片,用去离子水清洗干净,烘干;

2)称量一定质量的还原金属粉、低熔点金属盐、粘结剂和有机溶剂,搅拌混合,配置浆料;并将浆料按一定比例涂抹在步骤1)废硅片的正反两面;还原金属粉为硅片质量的30-150wt%,低熔点金属盐为硅片质量的1-30wt%;粘结剂为硅片质量的1-15wt%;还原金属粉为镁、铝、锌的一种或几种;低熔点金属盐为氟化亚锡;有机溶剂为丙酮、丁酮、戊酮、己酮、环戊酮、环己酮的一种或几种;

3)将金属片与步骤2)硅片叠片,每张硅片夹在两张金属片之间,且金属片全覆盖硅片,金属片与硅片面积的比值1.01-1.5;硅片的数量为1-5片,金属片的数量为3-6片;金属片为硅片质量的50-200wt%;金属片为锂、镁、铝和锌片的两种或几种,且必含有锂片;金属片是锂片与其它金属片压制而成,且锂片是其它金属片质量的5-50wt%;

4)将步骤3)的产物压制成块;

5)将步骤4)的产物在惰性气体中热处理1-20h;热处理温度为300-800℃;然后自然冷却到常温;获得硅基制氢材料。

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