[发明专利]一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺

权利要求书

1.一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：

步骤一、化学品清洗，取适量的氨水、双氧水与水，按照配比1：3-4:4-6配制而成，优选为1:3.5:5，并将配制而成的氨水、双氧水与水常温下浸泡30min-60min，直至表面古铜色污染物转变为紫黑色为止；

步骤二、超高压水枪冲洗，水枪头部距污染物15±5cm，冲洗20-40s，直至表面污染物完全去除为止；

步骤三、喷砂工艺，对钛或氮化钛膜去除后的产品表面进行喷砂处理，用以改变产品表面粗糙度，采用24目白刚玉砂，压力为4±2kg/㎝²，喷射口距产品保持17.5±2.5cm，10-20min后，检查产品粗糙度，5-8μm合格；

步骤四、利用超纯水对钛或氮化钛膜去除后进行喷砂处理后的产品表面进行清洗10-20min；

步骤五、将待烘干的半导体设备放置在烘床上，开启风机，对半导体设备进行初步风冷，形成对流空气经过半导体设备表面进行风冷，待风冷完成后，开启加热器，将温度调至高温加热挡，取出半导体设备后，将半导体设备均匀的散布在晾晒架上，将半导体设备放入低温烘烤箱内，将温度调至低温保温挡，最后将经过烘干完成后的半导体设备放置，即完成烘干。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：所述氨水浓度为25％，双氧水浓度为30％，水为去离子水。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：所述超高压水枪的压力8000-10000psi。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：所述超纯水的电阻率达到18MΩ*cm(25℃)。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：所述氨水的含氮量为15％-18％。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，其特征在于：所述氨水在低温下，溶液的浓度受到纯水冰、纯氨冰或氨的水合物析出的限制。