[发明专利]一种混酸中氟硼酸的检测方法有效
申请号: | 202011402675.0 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112710777B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 尹印;徐子豪;李鑫;贺兆波;张庭;万杨阳;冯凯;王书萍;倪高国 | 申请(专利权)人: | 湖北兴福电子材料有限公司 |
主分类号: | G01N31/16 | 分类号: | G01N31/16;G01N21/31;G01N27/44 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443007 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混酸中氟 硼酸 检测 方法 | ||
本发明涉及一种混酸中氟硼酸的检测方法。在本发明中,混酸为磷酸、硝酸、醋酸、氟硼酸的混合物。先利用萃取剂通过多次萃取的方式,将混酸中除磷酸外的其他组分分离,单独测定出磷酸的含量;再通过光度法检测混酸中硝酸的含量,最后利用电位滴定仪,计算等当点处磷酸、硝酸、氟硼酸的总含量,减去磷酸与硝酸的组分,即可得到氟硼酸的含量。本发明间接测定氟硼酸含量,减少了直接利用离子选择电极测定氟硼酸含量的误差,通过萃取分离的方式准确的测定了该混酸体系中磷酸的含量,避免了采用重量法或容量法测定磷酸含量的误差,大大提高了该混酸体系中氟硼酸的检测精度。
技术领域
本发明涉及电子化学品及半导体湿法蚀刻领域的检测,具体涉及一种混酸中氟硼酸的检测方法,精准检测氟硼酸组分含量。
背景技术
湿法蚀刻是目前半导体中主流的蚀刻技术之一。湿法蚀刻所用到的蚀刻液通常以酸为主,并且含氟,这是因为氟元素易与硅元素发生反应。氟硼酸一般用于金属表面氧化物、硅酸盐膜的清洁和腐蚀剂,且因其水解出HF的特性,也可用作HF缓释载体,其含量对蚀刻液产品的性能有很大的影响。
氟硼酸主要与其他酸复配使用,混酸中氟硼酸的检测一直是一个难点,因为硼元素一电离能高,因而ICP-MS等需原子电离的痕量分析仪器无法检测;且氟硼酸在水溶液中会缓慢分解生成羟基氟硼酸(HBF3OH)和HF,所以利用BF4-离子选择性电极法直接检测时,受温度、离子强度、水解等影响误差较大,检测偏差甚至在20%以上,所以需探索一种便于检测混酸中氟硼酸含量的方法。
除直接检测法外,也可通过测定混酸中其他组分的含量来间接计算出氟硼酸的含量,氟硼酸与磷酸、硝酸、醋酸复配使用时,磷酸含量的检测一般采用重量法和容量法,其中重量法使用磷钼酸喹啉沉淀来推算磷酸的含量,步骤繁琐,注意事项繁多,且烘干阶段需要使用的温度高,安全风险较大;容量法相较于重量法在温度控制的要求是没那么苛刻,但是也有多次过滤洗涤的操作,且碱溶沉淀的步骤操作时也相当不便。
基于此,本发明针对磷酸、硝酸、醋酸、氟硼酸的混酸体系,通过多次萃取的方式,将磷酸与其他组分分离,可精确测定该混酸体系中磷酸的含量,同时利用光度法与电位滴定法将计算出氟硼酸的含量,大大提高了该混酸体系中氟硼酸含量检测的精度。
发明内容
本发明通过测定总酸和其余混酸的含量,间接测定磷酸、硝酸、醋酸、氟硼酸混酸体系中氟硼酸的含量,避免了采用BF4-离子选择性电极直接测定氟硼酸含量的误差;通过萃取剂多次萃取的方式,将混酸中除磷酸外的其他组分分离,准确的测定了该混酸体系中磷酸的含量,避免了采用重量法或容量法测定磷酸含量的误差,大大提高了该混酸体系中氟硼酸的检测精度。
本发明目的在于提供了一种混酸中氟硼酸的检测方法。
为实现上述目的,本发明技术方案提供一种混酸中氟离子的检测方法,步骤包括:
S1.称取一定量的混酸样品,利用萃取剂分离出混酸中的磷酸组分,滴定法测定磷酸含量;
S1.称取一定量的混酸样品,通过光度法测定硝酸组分的含量;
S2.称取一定量的混酸样品,利用电位滴定仪滴定样品,通过第一个等当点计算磷酸、硝酸、氟硼酸的总含量,差减S1、S2测定的磷酸、硝酸含量,即可得到氟硼酸的含量。
所述的检测方法中,步骤S1中的混酸样品为磷酸、硝酸、醋酸与氟硼酸的混合物,并将该混酸样品加入浓度为150-250g/L的NaCl溶液进行稀释。作为优选方案混酸样品质量为9~11g稀释于50ml 200g/L的NaCl溶液中,用以增强极性提高萃取效率,便于溶液分层。
所述的检测方法中,步骤S1中萃取剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯或氯仿,萃取剂质量9~11g,且萃取次数不小于5次。
所述的检测方法中,步骤S2中,需先绘制硝酸的吸光度标准曲线,再利用样品的吸光度计算硝酸含量。
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