[发明专利]自适应电源电压钳位电路

权利要求书

1.一种自适应电源电压钳位电路，其中，包括：

钳位信号产生单元，接收目标电压、基准电压和电源电压，用于监测所述目标电压，并在监测到所述目标电压与限压值的差值满足预设条件时，基于所述基准电压和所述电源电压产生钳位信号；以及

电压调整单元，与所述钳位信号产生单元连接，用于在接收到所述钳位信号的情况下，对所述目标电压进行钳位，

其中，所述钳位信号产生单元基于所述基准电压和所述电源电压产生钳位信号时，在所述基准电压不变的情况下，所述钳位信号产生单元为根据不同的所述电源电压于不同时刻产生所述钳位信号，以使得所述目标电压的限压值跟随所述电源电压的变化而变化。

2.根据权利要求1所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述钳位信号产生单元包括：

第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻依次串联于所述目标电压的输入端与参考地之间；

第一运算放大器，正相输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点连接，所述第一运算放大器的供电端接收所述电源电压；

第三电阻和第四电阻，所述第三电阻和所述第四电阻依次串联于所述基准电压的输入端与所述第一运算放大器的输出端之间，且所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点与所述第一运算放大器的反相输入端连接；

第一晶体管，源极与所述第一运算放大器的输出端连接，栅极接收第一偏置电压，漏极产生所述钳位信号，

其中，所述第一晶体管为PMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述第一电阻的阻值与所述第三电阻的阻值相同，所述第二电阻与所述第四电阻的阻值相同，以及所述第二电阻的阻值等于所述第一电阻的阻值乘以n，n为正数。

4.根据权利要求2所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述第一偏置电压与所述电源电压的差值等于所述第一晶体管的导通阈值电压与第一预设阈值之和。

5.根据权利要求2所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述电压调整单元包括第一电流镜，

所述第一电流镜包括：

第二晶体管，栅极与漏极连接并接收所述钳位信号，所述第二晶体管的源极与参考地连接；

第三晶体管，栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述第三晶体管的漏极与所述目标电压的输入端连接，所述第三晶体管的源极与参考地连接，

其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管均为NMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述第二晶体管的宽长比与所述第三晶体管的宽长比相同。

7.根据权利要求2-6中任一项所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述预设条件为所述目标电压与限压值的差值大于0。

8.根据权利要求7所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述自适应电源电压钳位电路还包括：

第一电压跟随器，输入端与所述目标电压的输入端连接，所述第一电压跟随器的输出端通过串联连接的所述第一电阻和所述第二电阻与参考地连接。

9.根据权利要求1所述的自适应电源电压钳位电路，其中，所述钳位信号产生单元包括：

第五电阻和第六电阻，所述第五电阻和所述第六电阻依次串联于所述目标电压的输入端与所述电源电压的输入端之间；

第二运算放大器，正相输入端与所述第五电阻和所述第六电阻的连接节点连接；

第七电阻和第八电阻，所述第七电阻和所述第八电阻依次串联于所述基准电压的输入端与所述第二运算放大器的输出端之间，且所述第七电阻和所述第八电阻的连接节点与所述第二运算放大器的反相输入端连接；

第四晶体管，源极与所述第二运算放大器的输出端连接，栅极接收第二偏置电压，漏极产生所述钳位信号，

其中，所述第四晶体管为NMOS晶体管。