[发明专利]一种四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，包括从上至下依次设置的上封装玻璃、上层胶膜、钙钛矿电池组件串、中间胶膜、晶硅电池组件串、下层胶膜以及下封装玻璃，所述钙钛矿电池组件串与晶硅电池组件串具有相近的短路电流和开路电压，所述钙钛矿电池组件串和晶硅电池组件串共用一个逆变器，所述上封装玻璃、上层胶膜、钙钛矿电池组件串以及中间胶膜分别为半透明或透明状态。

2.如权利要求1所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，所述钙钛矿电池组件串包括通过导电电路相互串联在一起的多个钙钛矿电池，每个所述钙钛矿电池包括正、负汇流带以及通过该正、负汇流带相互并联在一起的多个钙钛矿子电池。

3.如权利要求2所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，每个所述钙钛矿电池从下至上依次包括导电基底、第一载流子传输层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层、缓冲层、透明电极层和钝化层，正、负汇流带分别设置在钙钛矿电池的两侧边且位于透明电极层的表面上，在每个所述钙钛矿电池上设置划线槽，在划线槽内填充了与钝化层相同的材料，在划线槽的一侧设置共用透明电极层，共用透明电极层的底面与导电基底相接触并连通，其顶面与汇流带相接触并连通，多个钙钛矿子电池并联地设置在划线槽的另一侧，相邻两个钙钛矿子电池的透明电极层之间通过设置的间隔槽分隔开，在每个间隔槽内分别也填充了与钝化层相同的材料。

4.如权利要求3所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，制备所述第一载流子传输层和第二载流子传输层的材料包括酰亚胺化合物、醌类化合物、富勒烯及其衍生物中任意一种，或者包括镉、锌、铟、铅、钼、钨、锑、铋、铜、汞、钛、银、锰、铁、钒、锡、锆、锶、镓和铬的金属氧化物中任意一种，或者包括钛酸锶和钛酸钙的钙钛矿氧化物中任意一种，或者包括三氧化二铝、氧化锡、氧化锌镁、氧化锌锡、二氧化钛、氧化锌、氟化锂、氟化钙、氧化镁、五氧化二铌、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、OMeTPA-FA、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、3-己基取代聚噻吩、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、硫氰化亚铜、三氧化二镍、三氧化二铁、EDOT-OMeTPA、CzPAF-SBF、碘化亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化镍、氧化钼、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种，其厚度为10nm~300nm。

5.如权利要求3所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，制备所述钙钛矿吸光层的材料为窄带隙钙钛矿吸光材料，包括具有ABX₃型结构的卤化物晶体，其中，A为甲胺基、甲脒基、铯中的至少一种，B为Sn、Bi、Sb、Ge、Cu或Pb离子中任意一种，X为卤素F、Cl、Br、I中至少一种，其厚度为80nm~500nm。

6.如权利要求3所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，制备所述缓冲层的材料包括富勒烯及其衍生物、金属氧化物、BCP、LiF中的任意一种。

7.如权利要求3所述的四端子钙钛矿与晶硅叠层电池组件，其特征在于，制备所述透明电极层的材料包括AZO、ITO、IZO、银纳米线、铜、银、石墨烯、碳纳米管中的至少一种形成的复合电极，其厚度为80nm~200nm。