[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管，包括：

依次层叠在衬底上的第一掺杂类型的埋层和第一外延层；

横向间隔分布在所述第一外延层上的多个隔离层；

位于所述第一外延层上的第二外延层；

位于所述第二外延层中第一掺杂类型的第一漂移区和位于所述第一漂移区两侧的高压阱区，所述第一漂移区中具有横向间隔分布的多个第二掺杂类型的浮空掺杂区，且至少一个的浮空掺杂区与至少一个的隔离层的上表面形成接触；

间隔设置在所述第二外延层上表面的多个沟槽，且每个所述沟槽中填充有介质层；

横向间隔分布在所述第二外延层上相邻两个沟槽之间的多个第二掺杂类型的体区，每个第二掺杂类型的所述体区均通过一个第二掺杂类型的所述浮空掺杂区与一个第二掺杂类型的所述隔离层接触，以形成体区超结结构；

间隔分布在所述第二外延层上表面的多个栅极结构，所述多个栅极结构的其中之一横跨在相邻的所述介质层与所述体区之间，或横跨在相邻的两个体区之间，每个栅极结构包括依次层叠的栅氧化层和多晶硅层，

每个所述高压阱区的下表面都与一个第一掺杂类型的所述隔离层的上表面形成有接触。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，还包括：

位于每个所述体区中的至少一个的注入区，所述至少一个的注入区以金属接触引出到源电极；

位于每个所述高压阱区中的至少一个的注入区，所述至少一个的注入区以金属接触引出到漏电极，

且位于每个所述栅极结构中的所述多晶硅层以金属接触引出到栅电极。

3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其中，所述横向双扩散晶体管在正向导通时，形成有从所述漏电极沿所述第一漂移区到达所述源电极的多条横向电流路径；以及

从所述漏电极流经所述埋层后依次穿过所述第一外延层和所述第一漂移区到达所述源电极的纵向电流路径。

4.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其中，相邻的两个所述隔离层的掺杂类型相同或相反。

5.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管，其中，每个第二掺杂类型的所述浮空掺杂区的下表面均与一个第二掺杂类型的所述隔离层的上表面形成接触，或空置；

形成接触的所述浮空掺杂区的个数与形成的所述体区的个数相同，每个形成接触的所述浮空掺杂区的位置均与其形成接触的所述体区的位置相对应，空置的所述浮空掺杂区横向间隔开来，且在纵向上与所述沟槽的下表面和所述第一外延层的上表面均间隔有一定距离。

6.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管，其中，每个第二掺杂类型的所述浮空掺杂区的下表面均与一个第二掺杂类型的所述隔离层的上表面形成接触，或空置；

形成接触的所述浮空掺杂区的个数与形成的所述体区的个数相同，每个形成接触的所述浮空掺杂区的位置均与其形成接触的所述体区的位置相对应，空置的所述浮空掺杂区横向上与形成有接触的所述浮空掺杂区相连接。

7.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，位于每个所述体区中的至少一个的注入区包括：

分布在每个所述体区中的两个第一掺杂类型的第一注入区和一个第二掺杂类型的第二注入区，且在每个所述体区中所述第一注入区与所述第二注入区交替排布，

且前述至少一个的注入区以金属接触引出到源电极包括：

每个所述体区中通过在交替排布的所述第一注入区与所述第二注入区的表面形成金属接触并共同引出到所述源电极。

8.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，位于每个所述高压阱区中的至少一个的注入区包括：

位于每个所述高压阱区中的一个第一掺杂类型的第一注入区，

且前述至少一个的注入区以金属接触引出到漏电极包括：

每个所述高压阱区中通过在所述第一注入区表面形成金属接触引出到所述漏电极。