[发明专利]碳化硅晶体生长方法及生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述生长装置包括：

长晶炉组件，包括长晶炉外壳、长晶炉下盖以及长晶炉主体，所述长晶炉外壳与所述长晶炉下盖可拆卸连接，所述长晶炉主体设置在所述长晶炉下盖上，用于生长碳化硅晶体；

气囊防护组件，包括气囊主体及气氛控制组件，所述气囊主体套设在所述长晶炉外壳上，且所述气囊主体与所述长晶炉下盖之间密封连接以形成密封操作腔室，所述气氛控制组件包括设置在所述气囊主体上的充气口及抽气口，以进行所述操作腔室内气氛置换；

操作台，设置在所述操作腔室中；

升降机构，与所述长晶炉下盖相连接，所述升降结构通过所述长晶炉下盖带动所述长晶炉主体移动；所述升降机构将所述长晶炉主体降至所述操作腔室中，以在所述操作腔室中进行所述长晶炉主体内物料与所述操作台上的物料进行更换；

操作孔组件，设置在所述气囊主体上，以基于所述操作孔组件在所述操作腔室中作业。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述气氛控制组件还包括设置在所述气囊主体上的流量控制装置及压力控制装置。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述充气口与所述抽气口分布在所述操作腔室的对角位置。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述操作孔组件包括橡胶手套，所述气囊主体上设置有操作开口，所述橡胶手套密封设置在所述操作开口侧壁上。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述气囊主体的材料包括PE。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述升降机构包括升降手臂辅助板以及相连接的第一升降手臂和第二升降手臂，所述第一升降手臂与所述长晶炉下盖相连接，所述升降手臂辅助板设置在所述第二升降手臂上，其中，所述气囊主体具有第一连接开口和第二连接开口，通过所述第一连接开口实现与所述长晶炉外壳的密封连接，通过所述第二连接开口实现与所述升降手臂辅助板的密封连接。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述升降机构还包括升降丝杆，所第二升降手臂设置在所述升降丝杆上且沿所述升降丝杆上下移动。

8.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一升降手臂与所述长晶炉下盖之间及所述第一升降手臂与所述第二升降手臂之间中的至少一者为可拆卸连接。

9.一种碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述生长方法包括如下步骤：

提供如权利要求1-8中任意一项所述的碳化硅晶体生长装置，并将所述长晶炉主体所需要的物料放置在所述操作台上；

通过所述气氛控制组件向所述操作腔室中通入保护气，并控制所述操作腔室具有预设气压，所述预设气压大于外界大气压；

通过所述升降机构下降所述长晶炉主体，以基于所述操作孔组件进行所述长晶炉主体内物料与所述操作台上的物料的更换；

通过所述升降机构上升所述长晶炉主体，使下降的所述长晶炉下盖与所述生长炉外壳相固定，使得所述长晶炉主体位于所述长晶炉壳体中；

启动所述长晶炉主体在所述长晶炉主体中进行碳化硅晶体生长。

10.根据权利要求9所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，控制所述操作腔室具有所述预设气压的步骤包括：打开抽气泵自所述抽气口将所述操作腔室中的空气抽出；关闭抽气阀并通过所述充气口将所述操作腔室中通入所述保护气体；重复上述步骤预设次数；控制所述保护气的流量介于5-10slm之间，并调节所述抽气阀开度，控制所述操作腔室具有所述预设气压，所述预设气压介于105-110KPa之间。