[发明专利]含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法

权利要求书

1.一种含Al氮化物半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底包括衬底中心区域及衬底边缘区域，所述衬底边缘区域位于所述衬底中心区域的外围；

形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底的表面；

进行预处理，在所述缓冲层的表面形成缓冲层岛状结构；

去除位于所述衬底边缘区域上的所述缓冲层，以显露所述衬底边缘区域；

形成含Al氮化物层，所述含Al氮化物层覆盖所述缓冲层及衬底边缘区域。

2.根据权利要求1所述的含Al氮化物半导体结构的制备方法，其特征在于：在进行所述预处理之后及形成所述含Al氮化物层之前，还包括图形化所述缓冲层的步骤，以形成周期性排布的凹槽，其中，所述凹槽的宽度为0.2μm～2μm，所述凹槽的间距为0.5μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的含Al氮化物半导体结构的制备方法，其特征在于：所述预处理包括原位腐蚀或化学溶液腐蚀，获得的所述缓冲层岛状结构为纳米级缓冲层岛状结构。

4.根据权利要求1所述的含Al氮化物半导体结构的制备方法，其特征在于：所述衬底中心区域的边缘与所述衬底边缘区域的边缘的间距为L，且10mm≥L≥0.2mm。

5.根据权利要求1所述的含Al氮化物半导体结构的制备方法，其特征在于：所述缓冲层包括AlN层、AlGaN层、GaN层、InGaN层及AlInGaN层中的一种或组合，所述缓冲层的厚度为0.01μm～1.0μm；所述含Al氮化物层包括AlN层及AlGaN层中的一种或组合。

6.一种含Al氮化物半导体器件，其特征在于，所述含Al氮化物半导体器件包括：

衬底，所述衬底包括衬底中心区域及衬底边缘区域，所述衬底边缘区域位于所述衬底中心区域的外围；

缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底中心区域并覆盖所述衬底中心区域，且所述缓冲层的表面具有缓冲层岛状结构；

含Al氮化物层，所述含Al氮化物层覆盖所述缓冲层及衬底边缘区域。

7.根据权利要求6所述的含Al氮化物半导体结构，其特征在于：所述缓冲层包括周期性排布的凹槽，所述凹槽的宽度为0.2μm～2μm，所述凹槽的间距为0.5μm～10μm，所述凹槽的深度为0.01μm～1.0μm。

8.根据权利要求6所述的含Al氮化物半导体结构，其特征在于：所述衬底中心区域的边缘与所述衬底边缘区域的边缘的间距为L，且10mm≥L≥0.2mm。

9.一种含Al氮化物半导体器件的制备方法，其特征在于：包括采用权利要求1～5中任一制备所述含Al氮化物半导体结构的方法制备所述含Al氮化物半导体器件。

10.一种含Al氮化物半导体器件，其特征在于：所述含Al氮化物半导体器件包括权利要求6～8中任一所述含Al氮化物半导体结构。