[发明专利]发光二极管装置在审
| 申请号： | 202011406465.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112928193A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包括：
基板，包含上表面；
第一导电垫及第二导电垫，其中该第一导电垫及该第二导电垫位于该基板上；
发光二极管，位于该第一导电垫上；
金属突出物，位于该第二导电垫上；
高分子层，覆盖该基板的该上表面、该第一导电垫、该第二导电垫、该金属突出物以及该发光二极管，其中自该金属突出物的顶部至该基板的该上表面的距离大于该高分子层的厚度；以及
上部电极，覆盖该发光二极管、该高分子层以及该金属突出物，使得该发光二极管电性连接该第二导电垫。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该发光二极管包含下部电极、位于该下部电极上的第一型半导体层、位于该第一型半导体层上的主动层以及位于该主动层上的第二型半导体层，自该金属突出物的该顶部至该基板的该上表面的距离大于自该第二型半导体层与该主动层之间的界面至该基板的该上表面的距离。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该高分子层的该厚度大于自该第二型半导体层与该主动层之间的该界面至该基板的该上表面的该距离。
4.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该下部电极的厚度与该第一导电垫的厚度的总和小于或等于2微米。
5.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第二型半导体层的厚度与该第一型半导体层的厚度之间的比例大于或等于1.5。
6.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该第一型半导体层为P型半导体层，且该第二型半导体层为N型半导体层。
7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该上部电极接触该发光二极管的上表面以及该金属突出物。
8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该高分子层为正光阻层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该上部电极为透明的。
10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该上部电极为银纳米线。
11.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该高分子层包含二氧化钛(TiO2)纳米粒子。
12.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该高分子层的厚度大于或等于2微米。
13.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该发光二极管的横向长度小于或等于50微米。
14.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，其中该金属突出物的横向长度小于或等于50微米。
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