[发明专利]加热部件功率控制方法、半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了加热部件功率控制方法、半导体工艺设备，该方法包括：在当前工艺过程完成后，确定在当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围；基于控温阶段的功率波动范围，确定控温阶段的功率波动值，判断功率波动值是否大于或等于预设的波动阈值；若功率波动值大于或等于波动阈值，基于当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围，确定下一工艺过程中加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围；在下一工艺过程中，根据加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围，控制加热部件在升温阶段的功率以及在控温阶段的功率。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及加热部件功率控制方法、半导体工艺设备。

背景技术

诸如化学气相沉积(Chemica lVapor Deposition，简称CVD)的工艺过程中，在进行工艺时，需要工艺腔室的温度尽可能保持为设定的温度。由温控器确定用于加热工艺腔室的加热部件例如灯管的功率，加热部件以温控器确定的功率工作，使得工艺腔室的温度尽可能保持为设定的温度的阶段可以称之为控温阶段。

目前的加热部件功率控制方式，仅考虑如何使得工艺腔室的温度尽可能保持为设定的温度即温度的稳定控制，没有考虑在控温阶段，温控器确定出的功率的波动。在控温阶段，温控器确定出的功率的波动较大，会造成诸如影响加热部件管使用寿命、工艺参数波动等诸多不利影响。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种加热部件功率控制方法、半导体工艺设备。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种加热部件功率控制方法，应用于半导体工艺设备，包括：

在当前工艺过程完成后，确定在当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围；

基于控温阶段的功率波动范围，确定控温阶段的功率波动值，并判断功率波动值是否大于或等于预设的波动阈值；

若功率波动值大于或等于波动阈值，则基于当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围，确定下一工艺过程中加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围；

在所述下一工艺过程中，根据加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围，控制加热部件在升温阶段的功率以及在控温阶段的功率。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种半导体工艺设备，包括：

自适应器、温控器、加热部件，其中，自适应器被配置为在当前工艺过程完成后，确定在当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围；基于控温阶段的功率波动范围，确定控温阶段的功率波动值，并判断功率波动值是否大于或等于预设的波动阈值；若功率波动值大于或等于波动阈值，则基于当前工艺过程中加热部件在所述升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围，确定下一工艺过程中加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围；

温控器被配置为在下一工艺过程中，根据加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围，控制加热部件在升温阶段的功率以及在控温阶段的功率。

本申请实施例提供的加热部件功率控制方法、半导体工艺设备，考虑了控温阶段中功率的波动的大小，在指示当前工艺过程中的控温阶段功率的波动的大小的功率波动值大于或等于预设的波动阈值时，基于当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围，确定下一工艺过程中加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围，在下一工艺过程中，根据下一工艺过程中加热部件在升温阶段的功率限制范围以及在控温阶段的功率限制范围，控制加热部件在升温阶段的功率以及在控温阶段的功率。从而，减小下一工艺过程中的控温阶段中功率的波动，避免在控温阶段由于功率的波动较大而造成的不利影响。