[发明专利]单晶生长设备及单晶生长方法

权利要求书

1.一种单晶生长设备，其特征在于，包括炉体、坩埚、旋转基座、驱动装置、内衬管及基座环；所述炉体底部设置有底座，所述坩埚位于所述炉体内，坩埚用于承载多晶硅料，所述旋转基座与所述坩埚的底部相连接，并向下穿过底座直至延伸到炉体外部，所述内衬管位于旋转基座与底座之间且套设于旋转基座的外围；所述驱动装置与所述旋转基座相连接，用于驱动所述旋转基座旋转，由此带动坩埚旋转；所述基座环位于炉体内，且套设于旋转基座的周向，所述基座环自所述内衬管的表面向外延伸到所述底座上，且所述基座环与所述内衬管为可拆卸连接。

2.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述内衬管为石墨管。

3.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述基座环的高度为1～5cm。

4.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述基座环包括陶瓷环、石墨环、金属环和碳化硅环中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述基座环通过螺丝固定于所述内衬管上。

6.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述内衬管上设置有凹槽，所述基座环的底部设置有支撑柱，所述支撑柱嵌设于所述凹槽内。

7.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述底座为不锈钢材质。

8.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述单晶生长设备还包括冷却水管路，位于所述底座的下方。

9.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述单晶生长设备还包括保护垫，位于所述内衬管的底部且套设于所述旋转基座的外围。

10.一种单晶生长方法，其特征在于，所述单晶生长方法依权利要求1-9任一项所述的单晶生长设备进行。