[发明专利]芯片互联方法、互联器件以及形成封装件的方法

说明书

本发明提供了芯片互联方法、互联器件以及形成封装件的方法，该芯片互联方法包括：将第一芯片和第二芯片设置于载体表面，其中，第一芯片的上方表面形成有多个第一凸点，第二芯片的上方表面形成有多个第二凸点，第一凸点的接触面小于第二凸点；将互联器件附接至第一芯片和第二芯片的部分上方表面，互联器件的一侧表面形成有用于接合至多个第一凸点的多个第一焊盘以及用于接合至多个第二凸点的多个第二焊盘，其中，将互联器件的多个第一焊盘对准接合至多个第一凸点，以使互联器件的多个第二焊盘和多个第二凸点实现自对准接合。利用上述方法，避免由于误差而导致的难以对准接合的问题。

技术领域

本发明属于半导体领域，具体涉及芯片互联方法、互联器件以及形成封装件的方法。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

随着人工智能时代的到来，半导体集成电路的发展趋势是功能越多且计算速度越快。由于“摩尔定律”，如果简单使用大芯片的SOC集成来满足这个发展趋势，无疑会使电路设计的难度越来越高，制造成本越来越昂贵。更为实际的解决方案则是采用多个小芯片的异质集成技术来完成功能集成的目的。基于此，目前对于高端封装的重要任务是发展高效率，高密度的多芯片互联技术，通过裸芯片之间的直接联接来形成芯片的物理层功能区块，以此来代替大芯片的SOC集成，实现低成本和高自由度，并具有相同的功能性。

现有的多芯片互联技术中，在半导体芯片的封装过程中难以避免地存在安装误差，导致难以实现多芯片与互联器件之间的对准接合。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题，提出了芯片互联方法、互联器件以及形成封装件的方法，利用这种方法、器件和封装件，能够解决上述问题。

本发明提供了以下方案。

第一方面，提供一种芯片互联方法，包括：将第一芯片和第二芯片设置于载体表面，其中，第一芯片的上方表面形成有多个第一凸点，第二芯片的上方表面形成有多个第二凸点，第一凸点的接触面小于第二凸点；将互联器件附接至第一芯片和第二芯片的部分上方表面，互联器件的一侧表面形成有用于接合至多个第一凸点的多个第一焊盘以及用于接合至多个第二凸点的多个第二焊盘，其中，将互联器件的多个第一焊盘对准接合至多个第一凸点，以使互联器件的多个第二焊盘和多个第二凸点实现自对准接合。

在一些可能的实施方式中，第一芯片的多个第一凸点为多个高密度凸点，第二芯片的多个第二凸点为多个低密度凸点。

在一些可能的实施方式中，在互联器件的多个第一焊盘和多个第二焊盘之间形成有扇出电路，以使每组芯片包含的第一芯片通过互联器件能够电性连接至第二芯片。

在一些可能的实施方式中，互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件。

在一些可能的实施方式中，互联器件形成为无源器件或有源器件。

第二方面，提供一种互联器件，互联器件的一侧表面形成有多个第一焊盘和多个第二焊盘，其中，多个第一焊盘用于接合至第一芯片，多个第二焊盘用于接合至第二芯片；互联器件的多个第一焊盘和多个第二焊盘之间形成有扇出电路，用于实现多个第一焊盘和多个第二焊盘之间的电性连接。

在一些可能的实施方式中，互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件。

在一些可能的实施方式中，互联器件形成为无源器件或有源器件。

在一些可能的实施方式中，互联器件采用半导体材料，包括以下中的一种或多种：硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)。

在一些可能的实施方式中，互联器件采用无机材料，包括以下中的一种或多种：玻璃、陶瓷。