[发明专利]电阻式存储器装置

说明书

一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括第一边缘位线；第二位线组，包括第二边缘位线；以及第一边界晶体管，被配置为根据对第一边缘位线的选择将非选择电压施加到第二边缘位线。第一位线组的第一边缘位线被设置为最靠近第二位线组，并且第二位线组的第二边缘位线被设置为最靠近第一位线组。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0161668的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器装置，更具体地，涉及电阻式存储器装置。

背景技术

电阻式存储器装置的示例包括相变随机存取存储器(RAM)(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)和电阻式RAM(RRAM)。电阻式存储器装置有利地表现出动态RAM(DRAM)的高速性和闪速存储器的非易失性。

电阻式存储器装置的存储器单元的电阻分布对应于其中编程的数据。为了读取存储器单元，可以将给定的电流或电压施加到存储器单元，并且可以读取取决于存储器单元的电阻大小的电压，由此感测数据。然而，读操作的感测裕度可能受到与电阻式存储器装置的存储器单元连接的字线和位线的寄生电容分量的负面影响。此外，寄生电容分量可能导致读/写干扰，例如，与被读取的存储器单元相邻的存储器单元的编程状态被改变。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括第一边缘位线；第二位线组，包括第二边缘位线；以及第一边界晶体管，被配置为当第一边缘位线被选择时将非选择电压施加到第二边缘位线。第一边缘位线被设置为在第一位线组中最靠近第二位线组，并且第二边缘位线被设置为在第二位线组中最靠近第一位线组。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括第一边缘位线；第二位线组，包括第二边缘位线；第一边缘晶体管，被配置为根据第一选择信号将选择电压施加到第一边缘位线；第二边缘晶体管，被配置为根据第二选择信号将选择电压施加到第二边缘位线；第三边缘晶体管，被配置为根据第一选择信号将非选择电压施加到第一边缘位线；以及第四边缘晶体管，被配置为根据第二选择信号将非选择电压施加到第二边缘位线。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一字线组，包括第一边缘字线；第二字线组，包括第二边缘字线；第一边界晶体管，被配置为当第一边缘字线被选择时将非选择电压施加到第二边缘字线；以及第二边界晶体管，被配置为当第二边缘字线被选择时将非选择电压施加到第一边缘字线。第一边缘字线被设置为在第一字线组中最靠近第二字线组，并且第二边缘字线被设置为在第二字线组中最靠近第一字线组。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种包括由解码器结构限定的第一位线组的电阻式存储器装置的操作方法。该方法包括：将非选择电压施加到设置在第一位线组中的最外侧位置处的第一边缘位线；以及使包括在第一位线组中的第一中间位线浮置。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括多条位线；第一边缘位线，设置在第一位线组中的最外侧位置处；以及第一中间位线，包括在第一位线组中，第一中间位线与第一边缘位线相邻。连接到第一边缘位线的晶体管的数量不同于连接到第一中间位线的晶体管的数量。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括多条位线；第一边缘位线，设置在第一位线组中的最外侧位置处；以及第一中间位线，包括在第一位线组中，第一中间位线与第一边缘位线相邻。通过晶体管连接到第一边缘位线的多个节点中的至少一些节点不同于通过晶体管连接到第一中间位线的多个节点中的至少一些节点。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，本发明构思的实施例将被更清楚地理解，附图中：