[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202011409968.1 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112951885A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 金彰穆;李宽熙;郑智元;崔永瑞 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张逍遥;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底;
像素层,位于所述基底上,包括多个显示器件;
封装构件,封装所述像素层;
光调制层,位于所述封装构件上;
功能层,位于所述光调制层上;以及
结合层,定位在所述光调制层与所述功能层之间以结合所述光调制层和所述功能层,
其中,所述光调制层具有与所述多个显示器件对应的开口,并且
其中,所述结合层填充所述开口且具有比所述光调制层的折射率大的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述结合层包括结合膜和分布在所述结合膜中的多个高折射率颗粒,并且
其中,所述结合层的所述折射率等于或大于1.6。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述结合层包括30wt%至60wt%的所述多个高折射率颗粒,并且
其中,所述结合层的所述折射率是1.6至1.8。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述结合层还包括分布在所述结合膜中的散射颗粒,并且
其中,所述散射颗粒的平均颗粒直径比所述多个高折射率颗粒的平均颗粒直径大。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述开口中的每个的内壁包括倾斜的表面,并且
其中,所述光调制层的厚度是1.5μm至2.5μm。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述内壁的下端具有凹进的形状。
7.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述封装构件与所述光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述感测电极包括形成网格结构的网格线,并且
其中,所述网格线与所述光调制层叠置。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个显示器件中的每个包括像素电极、位于所述像素电极上的包含发射层的中间层以及位于所述中间层上的对电极,并且
其中,从所述发射层发射的光的一部分被所述结合层与所述开口之中的对应的开口的内壁之间的界面全内反射。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述功能层包括偏振层。
11.一种显示设备,所述显示设备包括:
显示器件,用于发射光;
光调制层,位于所述显示器件上且具有与所述显示器件对应的开口;
结合层,填充所述开口且定位在所述光调制层上;以及
功能层,定位在所述结合层上且经由所述结合层结合到所述光调制层,
其中,所述光调制层具有第一折射率,并且所述结合层具有比所述第一折射率大的第二折射率,并且
其中,从所述显示器件发射的光的一部分被所述开口的内壁与所述结合层之间的界面全内反射。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述显示器件包括像素电极、位于所述像素电极上的包含发射层的中间层以及位于所述中间层上的对电极,并且
其中,所述光调制层位于覆盖所述像素电极的边缘的绝缘层上。
13.根据权利要求11所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述显示器件与所述光调制层之间的封装构件。
14.根据权利要求13所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述封装构件与所述光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
15.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述结合层包括结合膜和分布在所述结合膜中的多个高折射率颗粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的