[发明专利]一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；

所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；

所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。

2.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜的面积与所述吸收层的面积的比值范围为25～40。

3.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜的焦距可调。

4.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜的焦距通过如下公式确定：

其中，f为所述微透镜的焦距；n为衬底厚度；R为曲率半径。

5.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜的中心与所述第二台面下方区域的中心对齐。

6.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜结构为凸透镜结构。

7.根据权利要求6所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述微透镜表面设有增透膜。

8.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述衬底层集成汇聚光束作用的微纳结构。

9.根据权利要求1所述的集成微透镜结构的雪崩光电二极管，其特征在于，所述多台面的雪崩光电二极管包括：第一台面和第二台面；

所述第一台面位于所述P型接触层的上方，所述第一台面从下至上依次包括：吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层和边缘场缓冲层；

所述第二台面位于所述N型场控制层上方，所述第二台面从下至上依次包括：N型接触层和N型电极。

10.根据权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述吸收层、所述P型场控制层和所述倍增层、构成第一子台面；所述N型场控制层和所述边缘场缓冲层构成第二子台面。