[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法

说明书

公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。

技术领域

本文所述的本发明构思的实施例涉及一种半导体装置。更具体地说，本文所述的本发明构思的实施例涉及一种执行可靠性提高的读取操作的存储装置和该存储装置的操作方法。

背景技术

存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。一种存储装置的一个示例是在诸如硬盘驱动(HDD)的磁盘上存储数据的装置。一种存储装置的另一示例是在半导体存储器中存储数据的装置，具体地说，诸如固态驱动(SSD)或者存储卡的非易失性存储器。

非易失性存储器包括被配置为存储数据的存储器单元。为了增加将存储于在非易失性存储器中存储数据的存储装置中的数据量，寻找增加将在存储器单元中的每一个中存储的比特数量的方法。随着在存储器单元中的每一个中存储的比特数量增加，存储在存储器单元中的数据发生错误的机率可能增加。

需要即使在存储在存储器单元中的数据发生错误时也能够恢复原始数据的读取方法，以确保存储在存储器单元中的数据的完整性。

发明内容

本文描述的本发明构思包括提供可靠性提高的读取操作的存储装置以及该存储装置的操作方法。

根据示例性实施例，一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器单元；以及存储器控制器，其将与多个存储器单元关联的第一读取命令和第一读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，以及对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将与多个存储器单元关联的第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第二读取命令从非易失性存储器装置接收第二数据，将与多个存储器单元关联的第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及基于第三读取命令从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将偏移、与所述多个存储器单元关联的第四读取命令和第四读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第四读取命令从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。

根据示例性实施例，一种存储装置包括具有多个存储器单元的非易失性存储器装置以及存储器控制器。存储器控制器将与多个存储器单元关联的第一读取命令和第一读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，以及对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第一偏移、与多个存储器单元关联的第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第二读取命令从非易失性存储器装置接收第二数据，以及基于第二数据执行第一软判决处理。当第一软判决处理失败时，存储器控制器将与多个存储器单元关联的第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第三读取命令从非易失性存储器装置接收第三数据，将与多个存储器单元关联的第四读取命令和第四读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及基于第四读取命令从非易失性存储器装置接收第四数据。存储器控制器基于第三数据和第四数据将第一偏移调整为第二偏移，将第二偏移、与所述多个存储器单元关联的第五读取命令和第五读取电压信息发送至非易失性存储器装置，基于第五读取命令从非易失性存储器装置接收第五数据，以及基于第五数据执行第二软判决处理。