[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011411245.5 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN112992977A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 高宣煜;金贤珍;吴锦美;高承孝 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
显示面板,包括具有第一分辨率的第一区域和具有低于所述第一分辨率的第二分辨率的第二区域;
多个第一薄膜晶体管,设置在位于所述第一区域中的多个子像素中的每一个中;及
多个第二薄膜晶体管,设置在位于所述第二区域中的多个子像素中的每一个中,
其中,所述多个第一薄膜晶体管中的每一个包括位于所述第一薄膜晶体管的沟道区的一个表面上的一个栅极,所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的两个表面上的多个栅极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度与长度之比大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度与长度之比。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的上方的顶栅极和位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的下方的底栅极,
所述底栅极的边界的至少一部分位于偏离与所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界重叠的线的区域中。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述底栅极的边界的至少一部分位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界的内侧。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述底栅极的边界的至少一部分位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界的外侧。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述顶栅极的边界的至少一部分与所述第二薄膜晶体管的沟道区的边界重叠。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的上方的顶栅极和位于所述第二薄膜晶体管的沟道区的下方的底栅极,
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述顶栅极位于同一层上,
其中所述显示装置还包括电极图案,所述电极图案位于所述第一薄膜晶体管的沟道区的下方,并与所述底栅极位于同一层上,且与所述栅极隔离。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述电极图案是浮置状态,或者将与提供给所述第一薄膜晶体管的栅极的信号不同的信号提供给所述电极图案。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述底栅极电连接到所述顶栅极,并且所述电极图案电连接到所述第一薄膜晶体管的源极或漏极。
12.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第二区域中并位于所述第二薄膜晶体管的下方的光学传感器。
13.一种显示装置,包括:
显示面板,包括具有第一分辨率的第一区域和具有低于所述第一分辨率的第二分辨率的第二区域;
多个第一薄膜晶体管,设置在位于所述第一区域中的多个子像素中的每一个中;及
多个第二薄膜晶体管,设置在位于所述第二区域中的多个子像素中的每一个中,
其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011411245.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于摊铺机应用的物料密度测量
- 下一篇:符合人体工程学的便携式美发设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的