[发明专利]一种飞秒激光直写光子芯片衍射光栅检测方法

权利要求书

1.一种飞秒激光直写光子芯片衍射光栅检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a、对新型硅基集成电路材料进行飞秒激光直写，具体包括以下步骤；

步骤a1、将新型硅基集成电路材料用酒精擦拭干净，固定到三维电动位移平台上；

步骤a2、打开飞秒激光并设置好直写的相关参数，使得光束依次通过半波片、保偏片、衰减片和遮挡板，再经反光镜的反射垂直照射新型硅基集成电路材料表面；

步骤a3、采用逐线法写制出间距为10nm、深度为4um、长度100um的光栅结构；

步骤a4、搭建基于电荷藕合器件图像传感器的双向刻写监测系统，对光路进行补偿；

步骤b、将环形器两端口分别连接光源和光谱仪，另一端口照射上述经过直写的所述新型硅基集成电路材料；

步骤c、改变步骤b中所述环形器端口照射光角度，记录光谱谱线的变化。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述双向刻写监测系统包括以下步骤：

步骤s1、将第一电荷藕合器件图像传感器摄像机和第二电荷藕合器件图像传感器摄像机均与第二电脑相连接，所述第一电荷藕合器件图像传感器摄像机上设置有第一显微物镜，所述第二电荷藕合器件图像传感器摄像机上设置有第二显微物镜；

步骤s2、将所述第一电荷藕合器件图像传感器摄像机垂直所述三维电动位移平台设置在所述三维电动位移平台上方，在所述三维电动位移平台下方与所述第一电荷藕合器件图像传感器摄像机相对应设置第一LED背光光源；

步骤s3、将所述第二电荷藕合器件图像传感器摄像机平行所述三维电动位移平台设置在所述三维电动位移平台一侧，在所述三维电动位移平台另一侧与所述第二电荷藕合器件图像传感器摄像机相对应设置第二LED背光光源；

步骤s4、打开所述第一电荷藕合器件图像传感器摄像机和所述第二电荷藕合器件图像传感器摄像机同时照射所述三维电动位移平台上的所述新型硅基集成电路材料，对所述光束进行补偿。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，用逐线法制得的光栅为锯齿形。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，当不同光照射所述新型硅基集成电路材料时，其反射光谱谱线将会发生漂移。