[发明专利]一种三氧化钨气敏薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011412747.X | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112557460A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;明安杰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三氧化钨气敏薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间，将静置后的硅基片在去离子水中超声清洗，之后用氮气吹干；
(2)以三氧化钨为靶材，以氩气作为工作气体，采用掠射角磁控溅射在经步骤(1)得到的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜；
(3)将经步骤(2)得到的三氧化钨薄膜置于马弗炉中进行热处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中硅基片的氧化层厚度为500nm～2000nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中混合溶液中氟化铵的质量百分比为15％～20％，氢氟酸的质量百分比为1％～3％。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中静置时间为5min～10min，静置时混合溶液温度为5℃～15℃，超声清洗时间为10～15min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中硅基片平面法线与靶材平面法线之间形成的掠射角为75°～85°，溅射压强为0.1～0.5Pa，溅射功率为50～200W，溅射时间为10～60min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中热处理温度为400℃～500℃，热处理时间为1～4h。
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