[发明专利]半导体器件的栅氧形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的栅氧形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底用于制作嵌入式闪存器件；

在所述衬底的存储区域制作存储器件；

去除所述衬底的逻辑电路区域上残留的存储器件膜层；

将若干片所述衬底装入炉管中，通过热生长工艺在所述衬底上形成栅氧化层；

其中，在所述存储区域制作存储器件时，采用CVD工艺淀积氮化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述炉管为立式炉管。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将若干片所述衬底装入炉管中，包括：

将若干片所述衬底摆放在立式晶舟上；

将所述立式晶舟装入所述炉管中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述立式晶舟上，若干片所述衬底被分为若干组，任意相邻的两组衬底之间放置有一片随炉控片。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述炉管内有3片随炉控片。