[发明专利]光刻曝光方法有效
| 申请号： | 202011414133.5 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112612180B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 方法 | ||
1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括：
将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；
确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；
依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；在对其他曝光区域的曝光完成后，光学系统的曝光温度维持稳定；
对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。
2.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形的步骤完成后，还进行：
量测目标量测曝光区域处光刻图形的关键尺寸。
3.如权利要求1或2所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域的步骤包括：
在曝光阵列中，确定目标量测曝光区域；用于进行光刻图形关键尺寸量测的曝光区域为目标量测曝光区域；
在曝光阵列中，确定除所述目标量测曝光区域以外的曝光区域，为所述其他曝光区域。
4.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，多个晶片的所述曝光阵列排布相同，所述目标量测曝光区域在曝光阵列中的位置相同。
5.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，若确定所述目标量测曝光区域包括多个，对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形的步骤，包括：
依次对各个所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。
6.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，每次所述光刻曝光的曝光参数一致。
7.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，对所述其他曝光区域进行的光刻曝光的次数为3次至6次。
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