[发明专利]PFC电路及降噪电路有效

专利信息
申请号: 202011414529.X 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112636578B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 邓谷城;钟诗豪;章文凯;李薛山 申请(专利权)人: 佛山市顺德区美的电子科技有限公司;广东美的制冷设备有限公司
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42;H02M1/32;H02M1/44
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 李昂;张颖玲
地址: 528300 广东省佛山市顺*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: pfc 电路
【说明书】:

发明实施例公开了一种PFC电路,PFC电路包括:四端器件、第一电容及第一电感;四端器件包括:开关管及二极管;其中,开关管的第一端连接二极管的阳极;开关管的第一端形成四端器件的第一端;开关管的第二端形成四端器件的第二端;开关管的第三端形成四端器件的第三端;二极管的阴极形成四端器件的第四端;四端器件的第一端与第一电感连接;四端器件的第三端,用于与电源连接;四端器件、第一电感与电源形成回路;四端器件的第三端与第四端之间连接有第一电容;若开关管导通,电源给第一电感充电;若开关管截止,第一电感放电。本发明实施例的PFC电路利用四端器件代替PFC电路中原有连接的开关管及二极管,从而能够缩短开关管及二极管的连线,进而降低PFC电路的电磁干扰,且该PFC电路简单易实现。

技术领域

本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种PFC电路及降噪电路。

背景技术

目前针对变频控制器,通常采用功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)电路来调整电源输入电流,使得输入电流相位与输出电压的相位同相位。其中,所述PFC电路主要包括:单路PFC电路、双路交错PFC电路、三路交错PFC电路以及无桥PFC电路等。

在PFC电路中,基本上都存在高频的功率器件,例如二极管、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)及PFC电感等。而该些高频的功率器件在电路高频工作状态时,很容易产生电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI);会污染周边设备或电网。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种PFC电路及降噪电路。

本发明实施例的技术方案是这样实现的:

一种PFC电路,所述PFC电路包括:四端器件、第一电容及第一电感;

所述四端器件包括:开关管及二极管;其中,所述开关管的第一端连接所述二极管的阳极;

所述开关管的第一端形成所述四端器件的第一端;所述开关管的第二端形成所述四端器件的第二端;所述开关管的第三端形成所述四端器件的第三端;所述二极管的阴极形成所述四端器件的第四端;

所述四端器件的第一端与所述第一电感连接;所述四端器件的第三端,用于与电源连接;所述四端器件、所述第一电感与所述电源形成回路;所述四端器件的第三端与第四端之间连接有所述第一电容;

若所述开关管导通,所述电源给所述第一电感充电;若所述开关管截止,所述第一电感放电。

上述方案中,所述开关管包括:MOS管;

所述MOS管的漏极连接所述二极管的阳极;

所述MOS管的漏极形成所述四端器件的第一端;所述MOS管的栅极形成所述四端器件的第二端;所述MOS管的源极形成所述四端器件的第三端。

上述方案中,所述开关管包括:IGBT;

所述IGBT的集电极连接所述第二极管的阳极;

所述IGBT的集电极形成所述四端器件的第一端;所述IGBT的栅极形成所述四端器件的第二端;所述IGBT的发射极形成所述四端器件的第三端。

上述方案中,所述四端器件,还包括:

第二电容;所述第二电容的支路并联在所述开关管的第一端与所述二极管的阳极连线的支路上;所述第二电容用于抑制所述PFC电路产生的谐振频率。

上述方案中,所述四端器件,还包括:

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