[发明专利]阵列基板及显示面板在审
申请号: | 202011414599.5 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN112363357A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 高冬子 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1337;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 裴磊磊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板,包括薄膜晶体管以及像素电极,所述薄膜晶体管包括信号电极,所述信号电极上覆盖有一平坦层,所述像素电极设置于所述平坦层上,并且所述像素电极上设有槽口;其中,所述平坦层上设有第一接触孔,以暴露出所述信号电极的一部分,所述像素电极通过所述第一接触孔与所述信号电极连接。使得配向膜可以沿着像素电极上的所述槽口扩散到所述第一接触孔内,从而改善配向膜扩散不均造成的显示不良的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在TFT-LCD中,涂布于阵列基板和彩膜基板上的配向膜,起着控制液晶分子排列方向的作用。由于液晶与配向膜之间的界面有很强的作用力,在外加电压撤销后,改变排列方向后的液晶分子靠着黏弹性恢复到原来的状态。配向膜作为制造工程材料,必须具备均一性、密着性和稳定性的特点,但在实际工艺生产中,由于TFT基板存在地形的差异,较易出现局部的不均现象,从而产出显示的不良发生。
在TFT基板接触孔的位置,配向膜整面涂布在基板上,但是由于接触孔的存在,配向膜液滴在滴在孔的边缘时,由于表面材料的差异,配向膜从平坦化层扩散到接触孔的像素电极层上时,由于表面张力的差异,容易造成配向膜不能流进接触孔内,并且堆积在接触孔的边缘位置的现象,未流进配向膜的接触孔位置的液晶降不受控制,从而造成显示不良。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板,以解决现有技术中配向膜不能流进接触孔内,并且堆积在接触孔的边缘位置所造成的显示不良的问题,从而提高显示效果。
为了解决上述问题,本申请提供一种阵列基板,包括薄膜晶体管以及像素电极,所述薄膜晶体管包括信号电极,所述信号电极上覆盖有一平坦层,所述像素电极设置于所述平坦层上,并且所述像素电极上设有槽口;其中,所述平坦层上设有第一接触孔,以暴露出所述信号电极的一部分,所述像素电极通过所述第一接触孔与所述信号电极连接。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括一配向膜,所述配向膜覆盖所述平坦层以及所述像素电极。
在一些实施例中,所述薄膜晶体管还包括覆盖在一基板上的一第一绝缘层,所述信号电极设置于所述第一绝缘层上。
在一些实施例中,所述薄膜晶体管还包括一第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层以及所述信号电极,并且在对应所述第一接触孔的位置设有第二接触孔,以暴露出所述信号电极的一部分,所述像素电极通过所述第一接触孔以及所述第二接触孔与所述信号电极连接。
在一些实施例中,所述槽口从所述接触孔延伸至所述像素电极的外侧。
在一些实施例中,所述槽口的深度与所述像素电极的厚度相同。
在一些实施例中,所述槽口的深度小于所述像素电极的厚度。
在一些实施例中,所述槽口的类型为直线型、曲线型、折线型以及其他不规则型中的至少一种。
在一些实施例中,所述像素电极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化铝中的至少一种。
本申请提供还一种显示面板,包括上述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的一彩膜基板以及液晶层,所述液晶层设置于所述阵列基板以及所述彩膜基板之间。
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