[发明专利]树脂基板的加工方法在审
申请号: | 202011414783.X | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN114613683A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 梅田桂男 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;H01L21/687 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 加工 方法 | ||
树脂基板的加工方法,能够在抑制工时的增加的同时将树脂基板固定在卡盘工作台上。树脂基板的加工方法具有如下步骤:翘曲形状形成步骤(ST1),在以使封装的正面与曲面形成用基板的凸面紧贴的方式按压的状态下对封装基板进行加热并进一步冷却,从而在封装基板上形成封装基板的正面侧为凹面的翘曲;载置步骤(ST2),使封装基板的为凹面的正面以对置的方式载置于卡盘工作台的保持面;吸引保持步骤(ST3),将由封装基板的翘曲而成为凸面的背面侧的中央附近朝向保持面按压,一边沿着保持面矫正封装基板的翘曲一边利用卡盘工作台对封装基板进行吸引保持;以及加工步骤(ST4),从被卡盘工作台吸引保持的封装基板的背面侧进行磨削加工。
技术领域
本发明涉及封装基板等产生翘曲的树脂基板的加工方法。
背景技术
存在如下方法:将器件芯片搭载在包含电极的金属基板或玻璃环氧树脂等基板上,对作为用模制树脂包覆器件芯片而成的树脂基板的封装基板进行分割,得到各个封装器件芯片(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2011-181641号公报
对于封装基板而言,由于模制树脂的热膨胀率与金属基板、玻璃环氧树脂的热膨胀率相差较大,因此模制树脂的翘曲通常较大,在利用平坦的卡盘工作台的保持面进行吸引保持时,会发生泄漏,而有时无法充分牢固地固定在卡盘工作台上。
因此,如专利文献1所示的方法那样,提出了对封装基板实施半切割,在矫正了翘曲后进行吸引保持的方法。但是,专利文献1所示的方法需要一个一个地加工封装基板,而花费工时,因此难以用于得到廉价的封装器件芯片的方法。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而完成的,其目的在于提供能够在抑制工时的增加的同时将树脂基板固定在卡盘工作台上的树脂基板的加工方法。
为了解决上述课题并实现目的,本发明的树脂基板的加工方法是一种用模制树脂包覆搭载在基板上的器件芯片而成的树脂基板的加工方法,其特征在于,该树脂基板的加工方法具有如下步骤:翘曲形状形成步骤,在以使树脂基板的一个面与具有凸状的曲面的曲面形成用基板的凸面紧贴的方式按压的状态下对树脂基板进行加热,进而进行冷却,从而在树脂基板上形成树脂基板的该一个面侧为凹面的翘曲;载置步骤,使树脂基板的为凹面的该一个面以与卡盘工作台的保持面对置的方式载置于卡盘工作台的保持面;吸引保持步骤,将树脂基板的因翘曲而成为凸面的另一个面的中央附近朝向该保持面按压,一边沿着该保持面矫正树脂基板的翘曲,一边利用该卡盘工作台对树脂基板进行吸引保持;以及加工步骤,从被该卡盘工作台吸引保持的树脂基板的该另一个面侧进行规定的加工。
关于上述树脂基板的加工方法,也可以是,在该翘曲形状形成步骤中,以在层叠的多个该曲面形成用基板之间夹着树脂基板的状态对该树脂基板进行加热并冷却。
本申请发明实现了如下的效果:能够在抑制工时的增加的同时将树脂基板固定在卡盘工作台上。
附图说明
图1是作为实施方式1的树脂基板的加工方法的加工对象的封装基板的侧视图。
图2是图1所示的封装基板的正面侧的平面图。
图3是图1所示的封装基板的背面侧的平面图。
图4是示出实施方式1的树脂基板的加工方法的流程的流程图。
图5是示意性地示出在图4所示的树脂基板的加工方法的翘曲形状形成步骤中在多个曲面形成用基板间配置了封装基板的状态的侧视图。
图6是示意性地以局部剖面示出在使封装基板的金属基板的正面与图5所示的多个曲面形成用基板的凸面紧贴的状态下对封装基板进行加热的状态的侧视图。
图7是图4所示的树脂基板的加工方法的翘曲形状形成步骤后的封装基板的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造