[发明专利]NOR Flash的工艺方法

权利要求书

1.一种NOR Flash的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：

第一步，在衬底上形成NOR Flash的存储单元区域以及外围区域，分别制作各个隔离阱，进行阈值电压调节注入形成阈值电压调节注入层，并淀积形成存储单元区域多晶硅以及外围区域多晶硅；

第二步，涂覆光刻胶，通过掩膜版定义刻蚀打开存储单元区域多晶硅的窗口，将存储单元区域多晶硅暴露；所述掩膜版采用形成阈值电压调节注入层所用的掩膜版，降低工艺成本；

第三步，对打开的存储单元区域多晶硅的窗口内的存储单元区域多晶硅进行回刻蚀，进一步降低存储单元区域多晶硅的厚度；然后去除光刻胶；

第四步，在衬底整体表面淀积层间介质。

2.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述第一步中，淀积的存储单元区域多晶硅的高度高于外围区域多晶硅，在存储单元区域多晶硅和外围区域多晶硅衔接处由于高度差形成台阶。

3.如权利要求2所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述的台阶的高度为750ű100Å。

4.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，对存储单元区域多晶硅进行反刻蚀，进一步降低存储单元区域多晶硅的高度；刻蚀量为300Å。

5.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，对存储单元区域多晶硅的回刻蚀采用干法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述第四步中进行层间介质的淀积，由于降低了台阶高度差，台阶处层间介质淀积覆盖性更好，难以形成空洞。

7.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述第四步中，还包括刻蚀形成接触孔，由于存储单元区域多晶硅的厚度降低，接触孔金属填充效果更好。