[发明专利]一种碳化硼陶瓷的处理方法及应用

权利要求书

1.一种碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，包括将研磨、抛光后的碳化硼陶瓷通过电解进行腐蚀的步骤；

其中，电解液为浓度为0.1～0.3mol/L的氢氧化钾溶液，所述碳化硼陶瓷作为阳极，电解电流为0.1～0.3A，电解时间为20～60s。

2.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，以石墨作为阴极。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，所述研磨为机械研磨，依次采用80μm、45μm、30μm、15μm、9μm、6μm金刚石砂纸粗磨平整，再使用3μm、1μm、0.5μm金刚石砂纸精磨。

4.根据权利要求3所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，所述粗磨时转速为160～200r/min，时间为8～12min；所述精磨时转速为100～150r/min，时间为2～5min。

5.根据权利要求1～4任一项所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，采用氯丁橡胶抛光布进行所述抛光。

6.根据权利要求5所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，所述抛光时转速为100-150r/min，时间为2～5min。

7.根据权利要求1～6任一项所述的碳化硼陶瓷的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括将腐蚀后的碳化硼陶瓷从电解液中取出，依次用清水和无水乙醇冲洗后吹干的步骤。

8.由权利要求1～7任一项所述的碳化硼陶瓷的处理方法获得的样品在碳化硼陶瓷微观结构分析中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，采用扫描电镜或金相显微镜对所述样品进行微观组织观察。