[发明专利]窗制造方法

说明书

本申请涉及用于制造窗的方法，其包括：提供具有第一压缩应力值的初始窗，以及清洁所述初始窗以提供具有第二压缩应力值的窗。所述初始窗的所述清洁包括通过使用酸来酸清洁所述初始窗，以及在所述酸清洁之后通过使用碱来碱清洁所述初始窗。在所述第一压缩应力值与所述第二压缩应力值之间的差与所述酸清洁中的温度和过程保持时间之间建立线性关系表达式。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月10日提交的第10-2019-0164043号韩国专利申请的优先权，所述专利申请的内容通过援引整体并入本文。

技术领域

本发明的实施方案涉及窗制造方法，并且更具体地，涉及包括清洁过程的用于制造窗的方法。

背景技术

电子设备包括窗、壳体和电子元件。电子元件包括根据电信号激活的各种元件，例如显示元件、触摸元件或检测元件。

窗保护电子元件并且向使用者提供有源区。因此，使用者可以通过窗向电子元件提供输入或接收电子元件中产生的信息。此外，电子元件可以通过窗被稳定地保护免受外部冲击。

发明内容

由于电子设备的纤薄化的趋势，也需要窗的轻量化和薄型化。因此，为了补偿结构易损性，已经研究了用于制造具有优异的强度和表面耐久性的所述窗的方法。

本发明的实施方案提供了用于制造窗的方法，通过优化清洁过程改善了所述窗的压缩应力特性和冲击强度。

本发明的实施方案还提供了用于制造窗的方法，所述方法通过提出取决于所述清洁过程的过程条件的清洁量的变化之间的关系能够容易地控制清洁过程。

本发明构思的实施方案提供了用于制造窗的方法，所述方法包括：提供具有第一压缩应力值的初始窗，以及清洁所述初始窗以提供具有第二压缩应力值的窗，其中所述初始窗的所述清洁包括通过使用酸来酸清洁所述初始窗，以及在所述酸清洁之后通过使用碱来碱清洁所述初始窗，其中所述第一压缩应力值与所述第二压缩应力值之间的差满足以下等式1和等式2：

[等式1]

△CS(MPa)＝δ·t(min)+θ，

[等式2]

△CS(MPa)＝α·T(℃)+β，

其中，在等式1中，满足以下关系表达式：0δ≤10，并且-300≤θ0，在等式2中，满足以下关系表达式：0α≤10，并且0β≤50，以及在等式1和等式2中，△CS是所述第一压缩应力值与所述第二压缩应力值之间的所述差的绝对值，T是所述酸清洁中的温度，并且t是所述酸清洁的过程保持时间，以及在等式1和等式2中，括号中的词语表示以下相应参数的单位：△CS的单位是兆帕斯卡(MPa)，并且T的单位是摄氏度(℃)，并且t的单位是分钟(min)。

在实施方案中，所述等式2的所述酸清洁中的所述温度T可以在约40℃至约70℃的范围。

在实施方案中，所述等式1的所述酸清洁中的所述过程保持时间t可以在约1分钟至约20分钟的范围。

在实施方案中，所述第一压缩应力值与所述第二压缩应力值之间的所述差可以满足以下等式3：

[等式3]

△CS(MPa)＝ν·T(℃)+ω·t(min)+γ，

其中，在等式3中，满足以下关系表达式：0ν≤10、0ω≤20和-150≤γ≤-50。

在实施方案中，所述第一压缩应力值与所述第二压缩应力值之间的所述差可以满足以下等式3-1：

[等式3-1]

△CS(MPa)＝4T(℃)+2t(min)+γ，