[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011415906.1 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN113013194A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 李东昡;姜议正;金炳容;柳承洙;宋常铉;尹相赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;G02F1/1345;G09F9/33 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
像素阵列,配置在基底基板上;
侧面端子,与所述像素阵列电连接;
连接焊盘,具有与所述侧面端子的侧面接触的第一侧面;以及
驱动装置,被接合到所述连接焊盘的与所述第一侧面相反的第二侧面,
所述侧面端子包括:电阻减少层,包括第一导电性物质;以及上部导电层,配置在所述电阻减少层上,并且包括具有比所述第一导电性物质高的抗氧化性的第二导电性物质,
所述上部导电层的一部分配置在所述电阻减少层的端部与所述连接焊盘之间,使得所述电阻减少层远离所述连接焊盘。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一导电性物质包括从由铝和铜形成的组中选择的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第二导电性物质包括从由银、钛、镍、铬、钼和导电性氧化物形成的组中选择的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述电阻减少层包括:主导电层,包括所述第一导电性物质;以及上部盖层,配置在所述主导电层上且包括所述第二导电性物质。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述电阻减少层包括彼此远离的多个电阻减少图案。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述侧面端子还包括:下部导电层,配置在所述电阻减少层的下部且包括所述第二导电性物质。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
所述下部导电层包括:第一下部导电层;以及第二下部导电层,配置在所述第一下部导电层上。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
在所述下部导电层与所述基底基板之间配置绝缘层,所述下部导电层的一部分配置在所述绝缘层的端部与所述连接焊盘之间使得所述绝缘层远离所述连接焊盘。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
盖基板,配置在所述侧面端子上;以及
填充部件,配置在所述盖基板与所述侧面端子之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,
所述连接焊盘延伸成与所述填充部件的侧面接触。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一导电性物质包括铝,所述第二导电性物质包括钛。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一导电性物质包括铝,所述第二导电性物质包括银。
13.一种显示装置,包括:
阵列基板,包括配置在基底基板上的像素阵列以及与所述像素阵列电连接的侧面端子;
盖基板,与所述阵列基板结合;
填充部件,覆盖所述侧面端子,并且配置在所述阵列基板与所述盖基板之间;以及
连接焊盘,与所述侧面端子的侧面及上表面接触,
所述侧面端子具有从所述盖基板的侧面在水平方向上突出的形状,
所述侧面端子包括:电阻减少层,包括第一导电性物质;以及上部导电层,配置在所述电阻减少层上,并且包括具有比所述第一导电性物质高的抗氧化性的第二导电性物质。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,
所述第一导电性物质包括从由铝和铜形成的组中选择的至少一种,
所述第二导电性物质包括从由银、钛、镍、铬、钼和导电性氧化物形成的组中选择的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的