[发明专利]原子层蚀刻方法

权利要求书

1.一种原子层蚀刻方法，作为利用原子层蚀刻装置的原子层蚀刻方法，所述原子层蚀刻装置包括工艺腔室、气体喷射部、基板支撑架和远程等离子体发生装置，其中所述工艺腔室形成密封的处理空间，所述气体喷射部设置在所述工艺腔室内的上侧以向所述处理空间喷射气体，所述基板支撑架设置在所述工艺腔室内的下侧以安装基板，其特征在于，包括：

基板准备步骤(S10)，在所述基板支撑架上准备基板(100)；

改性步骤(S20)，在所述基板准备步骤(S10)之后，将包含除了HF以外的卤素气体的改性气体通过结合于所述工艺腔室的远程等离子体发生装置自由基化来供应到所述基板(100)上，进而改性所述基板(100)的表面层(110)；

第一吹扫步骤(S30)，用于吹扫所述表面层；

表面层去除步骤(S40)，将包含金属的前体供应到所述表面层(110)以去除在所述改性步骤(S20)中改性的所述表面层(110)；

第二吹扫步骤(S50)，吹扫所述基板(100)的表面。

2.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述远程等离子体发生装置通过CCP方式、ICP方式及电磁波方式中的一种方式将所述改性气体自由基化。

3.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

将所述改性步骤(S20)至所述表面层去除步骤(S40)作为一个周期来反复执行数次。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述改性步骤(S20)的工艺压力相同或者低于所述表面层去除步骤(S40)的工艺压力。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述基板支撑架及所述基板之间的距离(H)为，

所述改性步骤(S20)中的距离(H)和所述表面层去除步骤(S40)的距离(H)彼此相同，或者所述表面层去除步骤(S40)中的距离(H)更长。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述原子层蚀刻方法在400℃以下执行。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，还包括：

后处理步骤(S60)，供应后处理气体以对所述基板(100)的表面进行后处理，进而在所述表面层去除步骤(S40)之后去除在所述基板(100)的表面残留的卤素化合物。

8.根据权利要求7所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述后处理步骤(S60)利用包含氢或者氧的气体执行。

9.根据权利要求8所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，

所述后处理步骤(S60)利用等离子体方式或者加热方式执行。