[发明专利]一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法

权利要求书

1.一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、给定背板和钎料难润湿材质的靶材；s2、对背板和靶材均采取粗化处理，粗化处理包括以下步骤：a、硬质颗粒以高压气体为载体喷出后对背板的待焊接面和靶材的待焊接面均撞击处理，b、硬质颗粒喷出时与背板的待焊接面和靶材的待焊接面的喷砂距离均为50-80mm，c、硬质颗粒喷出时与背板的待焊接面和靶材的待焊接面的撞击角度均为0-80°，d、高压气体压力为0.5-0.6MPa，e、撞击处理后，背板的待焊接面和靶材的待焊接面的粗糙度均为2-10μm；s3、对背板和靶材均采取预处理；s4、对背板和靶材均采取焊接处理，将背板和靶材焊接为一体形成靶材组件, 焊接处理包括以下步骤：s41、将背板和靶材放置在加热台面上，并均随加热台面热至180-220℃，其中，纯金属及合金靶材的升温速率控制于≤8℃/min，二氧化硅等脆性靶材升温速率控制于≤3℃/min；s42、在背板的待焊接面或靶材的待焊接面设置焊接池；s43、将预先熔化好的钎料铺展于靶材的待焊接面和背板待焊接面上的焊接池，或将预先熔化好的钎料铺展于靶材待焊接面上的焊接池和背板的待焊接面；s44、使用治具去除钎料的氧化层；s45、使用超声波焊机对钎料采取润湿处理；s46、使用反转机构将背板的待焊接面与靶材的待焊接面进行贴合处理，贴合处理包括以下步骤：g、背板的待焊接面与靶材的待焊接面的初始贴合角度为60-80°，h、调节背板与靶材的相对位置后，对背板与靶材施加压力并保持；s5、对焊接为一体的背板和靶材采取冷却处理；s6、对焊接为一体的背板和靶材均采取缺陷检查处理；s7、对焊接为一体的背板和靶材均采取后续处理。

2.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，其特征在于：在所述步骤s1中，所述背板可为铝合金或钛或钼或钼合金或无氧铜材质，所述靶材可为钛或钼或钽或铌或铬或锆或铪或硅或碳或二氧化硅或钨钛合金或钼铌合金材质。

3.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，其特征在于：在所述步骤s3中，所述预处理包括以下步骤：S31、使用高压气枪或酒精对背板的待焊接面和靶材的待焊接面均清洗；S32、将第一耐高温胶带设置在背板的非焊接面和靶材的非焊接面。

4.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，其特征在于：在所述步骤s42中，将第二耐高温胶带设置在背板待焊接面的四周或设置在靶材待焊接面的四周，形成焊接池；在所述步骤s46中，将金属线放置在背板的待焊接面和靶材待焊接面上的焊接池之间，或将金属线放置在背板待焊接面上的焊接池和靶材的待焊接面之间，金属线尺寸为φ0.2-φ0.8mm。

5.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法，其特征在于：所述钎料为铟或锡系合金材质。

6.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法,其特征在于：在所述步骤s5中，所述冷却处理包括以下步骤：s51、对焊接为一体的背板和靶材继续施加压力并伴随加热台面自然冷却；s52、焊接为一体的背板和靶材放置在加热台面上，并均随加热台面冷却至90-120℃。

7.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法,其特征在于：在所述步骤s6中，所述缺陷检查处理包括以下步骤：s61、采用超声波探伤对焊接为一体的背板和靶材的焊接效果进行检查。

8.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法,其特征在于：在所述步骤s7中，所述后续处理包括以下步骤：s71、对焊接为一体的背板和靶材的表面均采取研磨处理；s72、使用有机溶剂对焊接为一体的背板和靶材进行清洗。

9.根据权利要求1所述一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法,其特征在于：在所述步骤s2中，所述高压气体为压缩空气，所述高压气体可为氮气或氩气。