[发明专利]衬底加工方法及利用该方法加工的衬底在审
申请号: | 202011418262.1 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112635309A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良 | 申请(专利权)人: | 福建晶安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/428;B23K26/53;C09D163/10;C09D175/14;C09D167/06;C09D4/06;C09D4/02;C09D171/02;C09D171/08;C09D7/63;C09D5/20 |
代理公司: | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人: | 宋教花 |
地址: | 362411 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 加工 方法 利用 | ||
1.一种衬底加工方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
对衬底进行切割处理,得到预定厚度的衬底切片;
对切割得到的衬底切片进行甩胶处理,以在衬底切片表面形成一层液体胶平坦膜;
在所述液体胶平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述衬底切片的带平坦膜的表面来在该衬底切片的预定深度位置产生破坏层;
基于所述破坏层对衬底切片进行剥片处理;
对剥片处理后的衬底进行抛光处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:采用紫外光对甩胶处理形成的液体胶平坦膜进行固化处理;
所述固化后的平坦膜层的上表面粗糙度为0.5um以下。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述对剥片处理后的衬底进行抛光处理之前,所述方法还包括:
对剥片处理前的衬底切片进行清洗;和/或
对剥片处理后的衬底边缘进行倒角处理。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述切割处理为线切处理。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述衬底的加工过程不包括铜抛和/或研磨处理。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述液体胶包括如下成分:预聚物50~100份、惰性树脂20~90份、单体35~70份、光引发剂5~12份、偶联剂2~3份及助剂1~2份。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述预聚物为含双键的不饱和聚合物;
所述单体选自以下材料中的一种:丙烯酸酯类、乙烯基类、乙烯基醚类、苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异冰片酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯、已二醇二丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯;
所述光引发剂为以下材料中的至少一种:羰基化合物、偶氮化合物、有机硫化物、氧化还原物质、卤素化合物、有机金属化合物、增咸染料;
所述惰性树脂为聚环氧烷、聚烷二醇、聚乙烯醚、聚乙烯酯中的一种;
所述偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硬脂酸钙其中的一种或其中的几种组成的混合物;
所述助剂选自流平剂、增稠剂中的一种或两种的组合。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述含双键的不饱和聚合物包括以下材料中的至少一种:聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、不饱和聚酯、聚烯烃和硫醇。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述衬底为金属、合金、化合物或第四主族单质制成的衬底。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述化合物包括:氧化物、氮化物、三五族化合物、二六族化合物、第四主族化合物、卤化物、钙钛矿型材料、硅酸盐、碳酸盐或铝酸盐制成的衬底。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对衬底切片进行剥片处理的步骤包括:
对具有破坏层的衬底切片进行热处理,使得衬底切片从破坏层位置发生剥离;
所述热处理的温度范围为200℃~2000℃。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抛光处理减掉的厚度为所述破坏层厚度的一半以上。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述衬底尺寸为4寸~18寸;
所述预定厚度为80μm~15mm;
所述预定深度的值为所述预定厚度的10%~90%。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,
所述预定厚度为80μm~15mm;
所述预定深度的值为所述预定厚度的20%~80%。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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