[发明专利]一种拉伸非敏感的规则网状导体及制备方法

权利要求书

1.一种拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1、通过真空辅助限域法将低维导电材料抽滤到滤膜上，形成网状图案化导体，所述滤膜为具有网状图案化的滤膜；所述真空辅助限域法为真空抽滤和图案化模板限域法的结合，即在真空抽滤过程中，气流将低维导电材料限域在网状图案化滤膜的固定位置，即得到网状图案化的导体；

S2、将所述网状图案化导体转移到预拉伸基底上，释放所述预拉伸基底，即得拉伸非敏感的规则网状导体。

2.如权利要求1所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述低维导电材料为金属或合金的纳米线、纳米棒、纳米管、纳米片和纳米颗粒，或碳的纳米管、纳米线、纳米棒、纳米片、纳米颗粒，或石墨烯，或MXene二维材料中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括：

S1、制备具有网状图案化的滤膜；按比例取100μl银纳米线Ag NWs的乙醇溶液和800μl的无水乙醇均匀混合，然后通过真空抽滤，将Ag NWs抽滤在具有网状图案化的滤膜上；

S2、将抽滤在具有网状图案化滤膜的Ag NWs转移至预拉伸基底上，再释放预拉伸基底，即得拉伸非敏感的规则网状导体。

4.如权利要求1所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括：

S1、制备具有网状图案化的滤膜；按比例取100μl二维钛碳化铝Ti₃C₂T_x MXene水溶液和1000μl的去离子水均匀混合，然后通过真空抽滤，将Ti₃C₂T_x MXene抽滤在具有网状图案化的滤膜上，形成网状图案化导体；

S2、将抽滤在具有网状图案化滤膜的Ti₃C₂T_x MXene转移至预拉伸基底上，再释放预拉伸基底，即得拉伸非敏感的规则网状导体。

5.如权利要求1所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括：

S1、制备具有网状图案化的滤膜；按比例取100μl碳纳米管的二甲基甲酰胺溶液和700μl的二甲基甲酰胺均匀混合，然后通过真空抽滤，将碳纳米管抽滤在具有网状图案化的滤膜上，形成网状图案化导体；

S2、将抽滤在具有网状图案化滤膜的碳纳米管转移至预拉伸基底上，再释放预拉伸基底，即得拉伸非敏感的规则网状导体。

6.如权利要求3-5任一项所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述基底为可拉伸胶带或者可拉伸聚合物。

7.如权利要求3-5任一项所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

S3、测量在0到80%拉伸应变下所述拉伸非敏感的规则网状导体的电学性能，其电学性能几乎不变。

8.一种拉伸非敏感的规则网状导体，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的拉伸非敏感的规则网状导体的制备方法得到。