[发明专利]一种升降压变换器峰值电流控制电路及控制方法在审
申请号: | 202011419044.X | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112583264A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 高宪校;郑清良;黄敏光 | 申请(专利权)人: | 英麦科(厦门)微电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/32 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 乐珠秀 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 升降 变换器 峰值 电流 控制电路 控制 方法 | ||
1.一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,包括:
升降压变换单元,所述升降压变换单元用于为负载提供电压;
峰值电流处理单元,所述峰值电流处理单元连接于所述升降压变换单元;
触发单元,所述触发单元分别连接于所述升降压变换单元和所述峰值电流处理单元,所述触发单元根据所述峰值电流处理单元的输出结果控制所述升降压变换单元。
2.根据权利要求1所述的一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,所述升降压变换单元包括:
第一开关管,所述第一开关管的漏极连接于第一电压输入端,所述第一开关管为增强型NMOS管;
第二开关管,所述第二开关管的漏极连接于所述第一开关管的源极,所述第二开关管的源极接地,所述第二开关管为增强型NMOS管;
第三开关管,所述第三开关管的源极接地,,所述第三开关管为增强型NMOS管;
第四开关管,所述第四开关管的漏极连接于电压输出端,所述第四开关管的源极连接于所述第三开关管的漏极,所述第四开关管为增强型NMOS管;
电感,所述电感的一端连接于所述第一开关管的源极和所述第二开关管的漏极之间,所述电感的另一端连接于所述第三开关管的漏极和所述第四开关管的源极之间。
3.根据权利要求2所述的一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,升降压变换单元还包括:
第一电容,所述第一电容的第一端连接于所述第一电压输入端,所述第一电容的第二端接地;
第二电容,所述第二电容的第一端连接于所述电压输出端,所述第二电容的第二端接地;
负载电阻,所述负载电阻的一端连接于所述电压输出端,所述负载电阻的另一端接地。
4.根据权利要求2所述的一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,所述峰值电流处理单元包括:
电流采样电路,所述电流采样电路的输入端连接于所述第一电压输入端;
斜波补偿电路;
时钟电路,所述斜波补偿电路的输入端连接于所述时钟电路的第一输出端;
求和器,所述求和器的第一输入端连接于所述电流采样电路的输出端,所述求和器的第二输入端连接于所述斜波补偿电路的输出端;
第一处理电路,所述第一处理电路的输入端连接于所述电压输出端;
第二处理电路,所述第二处理电路连接于所述求和器的输出端和所述第一处理电路的输出端,所述第二处理电路的输出端连接于所述触发单元。
5.根据权利要求4所述的一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,所述第一处理电路包括:
第一分压电阻,所述第一分压电阻的第一端连接于所述电压输出端;
第二分压电阻,所述第二分压电阻的第一端连接于所述第一分压电阻的输出端,所述第二分压电阻的第二端接地;
运算放大器,所述运算放大器的同相输入端连接于所述第一分压电阻的第二端和所述第二分压电阻的第一端之间,所述运算放大器的反相输入端连接于基准电压;
偏置电压电路,所述偏置电压电路的输入端连接于所述运算放大器的输出端。
6.根据权利要求5所述的一种升降压变换器峰值电流控制电路,其特征在于,所述第二处理电路包括:
第一比较器,所述第一比较器的同相输入端连接于所述求和器的输出端,所述第一比较器的反相输入端连接于所述运算放大器的输出端;
第二比较器,所述第二比较器的同相输入端连接于所述第一比较器的同相输入端,所述第二比较器的反相输入端连接于所述偏置电压电路的输出端;
第三比较器,所述第三比较器的同相输入端连接于所述电压输出端,所述第三比较器的反相输入端连接于第二电压输入端;
第一与门,所述第一与门的第一输入端连接于所述第一开关管的栅极,所述第一与门的第二输入端连接于所述第一比较器的输出端;
第二与门,所述第二与门的第一输入端连接于所述第三开关管的栅极,所述第二与门的第二输入端连接于所述第二比较器的输出端;
第三与门,所述第三与门的第一输入端连接于所述时钟电路的第二输出端,所述第三与门的第二输入端连接于所述第三比较器的输出端。
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