[发明专利]一种绝缘体上应变硅/锗晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘体上应变硅/锗晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底为SOI衬底或GeOI衬底；

在所述半导体衬底上先制作栅极后形成应变引入层，或者先形成应变引入层后制作栅极；当所述半导体衬底的顶层为硅时，所述应变引入层为Si_1-xGe_x层，0.01≤x≤0.7；当所述半导体衬底的顶层为锗时，所述应变引入层为Ge_1-a-bSn_aSi_b层，0.01≤a≤0.3，0.01≤a+b＜1；

先制作栅极后形成应变引入层的方法是：在所述半导体衬底的顶层硅或顶层锗上制作栅极；在栅极两侧的顶层硅或顶层锗上分别形成应变引入层；去除应变引入层，对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极；

先形成应变引入层后制作栅极的方法是：在所述半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成应变引入层、进行退火处理，去除所述应变引入层；之后在所述半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成栅极，并对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述先制作栅极后形成应变引入层的方法和所述先形成应变引入层后制作栅极的方法中，应变引入层的形成方法都是：外延生长。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述先制作栅极后形成应变引入层的方法和所述先形成应变引入层后制作栅极的方法中，应变引入层的去除方法都为：刻蚀。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述先制作栅极后形成应变引入层的方法中，在制作栅极之后和形成应变引入层之前：还对栅极两侧的顶层硅或顶层锗减薄。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述先制作栅极后形成应变引入层的方法和所述先形成应变引入层后制作栅极的方法中，掺杂形成源漏极的方法是：

进行离子注入。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述先制作栅极后形成应变引入层的方法和所述先形成应变引入层后制作栅极的方法中，掺杂形成源漏极的方法是：

在外延腔体中，在650～750℃下向待掺杂的表面吹扫掺杂源，然后在表面形成氧化层，进行快速热退火处理，最后去除所述氧化层。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述Ge_1-a-bSn_aSi_b层中，0.01≤a≤0.29。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述应变引入层的厚度为5～100nm。

9.采用权利要求4或5所述的制备方法得到的晶体管。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底顶层硅或锗的厚度为5～100nm。