[发明专利]外延结构的转移方法有效
申请号: | 202011419314.7 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112967992B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 王涛 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 结构 转移 方法 | ||
1.一种外延结构的转移方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一衬底和第二衬底,所述第一衬底的表面具有外延结构;
通过第一胶层将所述第一衬底与所述第二衬底粘接键合,所述外延结构位于所述第一衬底靠近所述第二衬底的一侧,并去除所述第一衬底;
提供第三衬底,通过第二胶层将所述第二衬底与所述第三衬底粘接键合,所述外延结构位于所述第二衬底靠近所述第三衬底的一侧;
去除所述第二衬底和所述第一胶层,以将所述外延结构转移至所述第三衬底上,
在通过所述第一胶层将所述第一衬底与所述第二衬底粘接键合的步骤之前,所述转移方法还包括以下步骤:
在所述第二衬底的一侧形成所述第一胶层,并在所述第一胶层的裸露表面形成第一缓冲层;或
在所述外延结构远离所述第一衬底的一侧形成所述第一胶层,并在所述第一胶层的裸露表面形成第一缓冲层;或
在所述第二衬底的一侧以及所述外延结构远离所述第一衬底的一侧均形成所述第一胶层,并在至少一个所述第一胶层的裸露表面形成第一缓冲层。
2.如权利要求1所述的转移方法,其特征在于,在通过所述第一胶层将所述第一衬底与所述第二衬底粘接键合的步骤之前,所述转移方法还包括以下步骤:
在所述外延结构远离所述第一衬底的一侧形成腐蚀截止层,所述第一衬底与所述第二衬底粘接键合时所述第一胶层与所述腐蚀截止层接触设置,
在去除所述第二衬底的步骤之后,所述转移方法还包括去除所述腐蚀截止层的步骤。
3.如权利要求2所述的转移方法,其特征在于,所述腐蚀截止层包括钛/金叠层。
4.如权利要求2所述的转移方法,其特征在于,在通过所述第一胶层将所述第一衬底与所述第二衬底粘接键合的步骤之前,所述转移方法还包括以下步骤:
在所述腐蚀截止层的靠近和/或远离所述外延结构的一侧形成保护层,
在去除所述第二衬底的步骤之后,所述转移方法还包括去除所述保护层的步骤。
5.如权利要求4所述的转移方法,其特征在于,形成所述保护层的材料包括氮化硅。
6.如权利要求1所述的转移方法,其特征在于,在通过所述第二胶层将所述第二衬底与所述第三衬底粘接键合的步骤之前,所述转移方法还包括以下步骤:
在所述第三衬底的一侧形成所述第二胶层,并在所述第二胶层的裸露表面形成第二缓冲层;或
在所述外延结构远离所述第二衬底的一侧形成所述第二胶层,并在所述第二胶层的裸露表面形成第二缓冲层;或
在所述第三衬底的一侧以及所述外延结构远离所述第二衬底的一侧形成所述第二胶层,并在至少一个所述第二胶层的裸露表面形成第二缓冲层。
7.如权利要求6所述的转移方法,其特征在于,所述第二胶层形成于所述第三衬底的一侧,所述转移方法还包括以下步骤:
在所述外延结构远离所述第二衬底的一侧形成第三缓冲层。
8.如权利要求2至5中任一项所述的转移方法,其特征在于,所述第二衬底包括蓝宝石衬底,采用激光剥离工艺去除所述第二衬底。
9.根据权利要求2至5中任一项所述的转移方法,其特征在于,所述第一胶层和/或所述第二胶层包括苯并环丁烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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