[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备有效

专利信息
申请号: 202011419640.8 申请日: 2020-12-06
公开(公告)号: CN113186511B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 马君健;王晓莹;徐宏;吴振华;周德金;钟磊 申请(专利权)人: 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46
代理公司: 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 代理人: 于理科
地址: 214100 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 量产 氮化 立式 hpve 设备
【说明书】:

发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,具体涉及氮化镓生产技术领域,包括支腿和外壳体,所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿,所述外壳体的内部设置有内壳体,所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽,所述外壳体的一端设置有盖板,所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块,所述盖板的另一端固定连接有把手,所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽,将镓源放进放置槽中,因放置槽设置有若干个,放置板为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下,使其便于拿取更换新的镓源。

技术领域

本发明涉及氮化镓生产技术领域,具体为一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备。

背景技术

氮化镓是一种半导体材料,可用于发光二级管、探测器中,在制备氮化镓时,需要通过HPVE设备进行生产,现有的HPVE设备在设计上仍有一些问题,导致在使用时不便,因此我们需要对一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备进行改进。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决:

(1)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备镓源的放置空间较少,影响产量,且不便于拿取;

(2)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备没有设置保温的功能,导致内部热量流失较快,无法保温;

(3)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备内部空间较小,量产较少,工作效率较低;

(4)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备气体散发不够均匀,影响镓源的生长效果;

(5)传统的可量产氮化镓的全立式HPVE设备衬底受热不够均匀,影响镓源的生长。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,以解决上述背景技术中提出镓源的放置空间较少,影响产量,且不便于拿取的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,包括支腿和外壳体,所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿,所述外壳体的内部设置有内壳体,所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽,所述外壳体的一端设置有盖板,所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块,所述盖板的另一端固定连接有把手,所述外壳体的内壁固定连接有电热丝,所述外壳体和内壳体的内部设置有保温结构,所述内壳体的内部设置有辅助旋转结构,所述外壳体的顶端设置有第一气室,所述第一气室的底端设置有出气管,所述第一气室的顶端设置有第二气室,所述第二气室的顶端设置有生长室,所述生长室的一侧设置有进气口,所述生长室的顶端活动连接有密封盖,所述生长室与第二气室的内部之间设置有连接口,所述第二气室与第一气室的内部之间设置有辅助均匀结构,所述生长室的内部设置有便于拿取结构;

所述便于拿取结构包括固定柱,所述固定柱的底端与生长室内部的底端固定连接,所述固定柱的外部设置有套筒,所述套筒的顶端固定连接有凸块,所述套筒的外部固定连接有轴套,所述轴套的外部固定连接有放置板,所述放置板顶端的内部设置有放置槽。

优选的,所述保温结构由预留槽、安置槽、岩棉和卡块组成,所述安置槽设置在内壳体和支腿的内部之间,所述安置槽的内部设置有岩棉,所述岩棉的一端设置有卡块,所述卡块的一端设置有预留槽,所述卡块的底端与内壳体的外部分别固定连接。

优选的,所述预留槽嵌在支腿一端的内部,所述卡块的一端嵌在预留槽的内部,所述岩棉包裹在内壳体的外壁。

优选的,所述第一气室设置有两组,所述第一气室的大小相同,所述第一气室关于外壳体的中心线呈对称分布,所述出气管与内壳体的内部相连通。

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