[发明专利]计算机可读介质

说明书

本文公开了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令配置成使计算机系统至少：获得关于来自设计布局的一部分的热点的信息，所述设计布局将由器件制造过程处理到衬底上；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，使用所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；获得所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或从其中选择的组合。

本申请为申请日为2015年5月26日、申请号为201580031822.9、题为“计算晶片检验”的中国发明专利申请(对应的PCT国际申请号为PCT/EP2015/061609)的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请涉及2014年6月10日提交的美国临时专利申请62/010,221和2014年7月11日提交的美国临时申请62/023,589，其通过援引而全文合并到本文中。

技术领域

本发明涉及一种优化半导体制造过程性能的方法。所述方法可以与光刻设备结合使用。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成与所述IC(“设计布局”)的单层相对应的电路图案，并且可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一根或多根管芯)上，其中所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

发明内容

一方面包括一种计算机实施的缺陷预测方法，用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，由所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；确定所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测由所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。

在所述方法的实施例中，确定或预测缺陷的存在、存在概率、特性或其组合还使用了热点的特性、设计布局的特性或这两者。

在所述方法的实施例中，所述方法还包括使用缺陷的存在、存在概率、特性或其组合来调整或补偿处理参数。

在所述方法的实施例中，所述方法还包括反复地执行确定或预测缺陷的存在、存在概率、特性或其组合，并调整或补偿所述处理参数。

在所述方法的实施例中，所述方法还包括使用经过调整或补偿的处理参数确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的残余缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。

在所述方法的实施例中，所述方法还包括至少部分地基于所确定或预测的残余缺陷的存在、存在概率、特性或其组合来指示是否将检验所述热点。

在所述方法的实施例中，所述方法还包括至少部分地基于所确定或预测的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合来指示是否将检验所述热点。

在所述方法的实施例中，所述热点是使用经验模型或计算模型识别的。

在所述方法的实施例中，所述处理参数是从以下各项中选出的任意一个或多个：实际晶片台位置和倾斜度、实际掩模版台位置和倾斜度、聚焦、剂量、源参数、投影光学装置参数、根据量测获得的数据，和/或来自所述器件制造过程中使用的处理设备的操作员的数据。