[发明专利]一种SLM制备铝合金中共晶硅的变质方法有效

专利信息
申请号: 202011420100.1 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN112775439B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 孙靖;王旭琴;赵凯;张春杰;乔汝旺 申请(专利权)人: 上海航天设备制造总厂有限公司
主分类号: B22F10/28 分类号: B22F10/28;B22F10/50;C22C21/04;B33Y10/00;B33Y40/00
代理公司: 上海段和段律师事务所 31334 代理人: 李慧;郭国中
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 slm 制备 铝合金 中共 变质 方法
【权利要求书】:

1.一种SLM制备铝合金共晶硅的变质方法,其特征在于,包括以下步骤:

A、将铝合金粉末通过SLM制备铝合金制件;

B、对SLM制备铝合金制件的过程中,对铝合金制件进行热震动处理;

所述热震动处理的具体操作包括:每打印一段时间,对SLM设备的基板和内腔进行加热并保温,然后冷却至基板的预热温度的步骤,直至铝合金制件制备完成;热震动处理中,所述加热温度控制在500±50℃;热震动处理中,所述保温时间控制在15-30min;

所述冷却速率为10-15℃/min;

零件制备过程中,所述基板的预热温度为80℃。

2.根据权利要求1所述的SLM制备铝合金共晶硅的变质方法,其特征在于,所述铝合金粉末采用的铝合金选自AlSi10Mg、AlSi7Mg、AlSi12。

3.根据权利要求1所述的SLM制备铝合金共晶硅的变质方法,其特征在于,所述SLM制备铝合金制件采用的参数设置为:激光功率为350w,扫描速度为1000mm/s,铺粉层厚为30μm,扫描间距为0.18mm。

4.一种根据权利要求1-3任一项所述的变质方法制备的铝合金制件,其特征在于,所述铝合金制件中,共晶硅颗粒尺寸分布为0.1~2.0μm。

5.根据权利要求4所述的变质方法制备的铝合金制件,其特征在于,所述铝合金制件中,共晶硅颗粒为近球形结构。

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