[发明专利]一种促进泥炭藓假根生长的方法有效
| 申请号： | 202011420488.5 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112385546B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李超;孙翔;付一笛 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;李晓峰 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 促进 泥炭 假根 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种促进泥炭藓假根生长的方法,其特征在于，该方法为向培养基中加入500 nM~1μM浓度的NAA对泥炭藓进行培养基法培养；选取新鲜泥炭藓茎尖接种到培养基上，在密封条件下置于光照培养箱中进行培养；
所述加入NAA的培养基的配方为：NAA 500 nM~1 μM，KH2PO4 0.25g·L-1、KCl 0.25g·L-1、MgSO4·7H2O 0.25g·L-1、Ca(NO3)2·4H2O 1g·L-1、FeSO4·7H2O 0.0125g·L-1和琼脂粉8g·L-1，pH调至5.8。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NAA的添加浓度为500 nM或1 μM。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述培养条件为：光照强度50-60 μmol·m-2·s-1白色荧光灯，光照时间16h黑暗时间8h交替，温度22℃，培养时间为8~24天。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述培养基的制备方法为：按比例将KH2PO4、KCl、MgSO4·7H2O、Ca(NO3)2·4H2O和FeSO4·7H2O充分溶解后，用KOH将pH调至5.8，再加入琼脂粉，之后121℃，0.1 MPa高温高压灭菌25min；将灭菌后的培养基降至合适温度后，加入NAA混合均匀倒入培养皿。
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