[发明专利]一种磁场传感器在审
| 申请号： | 202011420595.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112379314A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 彭瞳生 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01R33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 726206 陕西省商洛*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁场传感器，其特征在于，包括：激光器、微纳光纤、探测器、金属线和电路模块；
所述激光器设置在所述微纳光纤的一端；
所述探测器设置在所述微纳光纤的另一端；
所述金属线设置在所述微纳光纤的上方或下方；
所述电路模块与所述金属线连接，所述电路模块用于给所述金属线通电。
2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述微纳光纤为U型微纳光纤，所述金属线为U型金属线。
3.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁场传感器还包括固定部；所述激光器、所述探测器和所述电路模块设置在所述固定部内。
4.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁场传感器还包括弹性材料；所述弹性材料设置在所述微纳光纤上。
5.根据权利要求1或4所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁场传感器还包括磁致伸缩材料，所述磁致伸缩材料设置在所述微纳光纤和所述金属线之间。
6.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述探测器为光电二极管。
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