[发明专利]一种羟基修饰的银耳状三维碳纳米片及其制备方法和在回收镓中的应用有效

专利信息
申请号: 202011420991.0 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112691641B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 崔俊硕;李文康;李鑫竺;熊英;王月娇;单炜军;于海彪;娄振宁 申请(专利权)人: 辽宁大学
主分类号: B01J20/20 分类号: B01J20/20;B01J20/28;B01J20/30;B01D15/08;C22B58/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 金春华
地址: 110000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 羟基 修饰 银耳 三维 纳米 及其 制备 方法 回收 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种羟基修饰的银耳状三维碳纳米片在回收镓中的应用,其特征在于,方法如下:

称取10mg的羟基修饰的银耳状三维碳纳米片,加入到10mL浓度为20mg·L-1的Ga(III)溶液中,调节溶液的pH为3,在30℃下,振荡吸附24h;

羟基修饰的银耳状三维碳纳米片的制备方法如下:

1)将5 g柠檬酸钠放入瓷舟中,分别在800℃的氮气气氛下碳化2小时,升温速率控制为5℃ min-1,再用稀释的盐酸和蒸馏水洗涤,直至中性,然后放置于50℃的烘箱中干燥过夜,得到的碳样品命名为3DCN800;

2)取1 g步骤1)所得的3DCN800,10 mL钛酸丁酯和0.5 g山梨醇于三口烧瓶中,在室温下超声搅拌1.5小时之后,将所得溶液逐滴滴入蒸馏水中,静置沉降24小时后进行抽滤操作,最后干燥过夜,研磨得到羟基修饰的银耳状三维碳纳米片。

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