[发明专利]SiC晶锭的加工方法和激光加工装置

权利要求书

1.一种SiC晶锭的加工方法，其是具有端面的SiC晶锭的加工方法，其具备下述工序：

电阻值测量工序，测量SiC晶锭的该端面的电阻值；

激光光线输出调整工序，与利用该电阻值测量工序测量的电阻值相对应地调整激光光线的输出；

剥离带形成工序，将与c面相对于SiC晶锭的该端面倾斜而由SiC晶锭的该端面和该c面形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，将与该X轴方向垂直的方向作为Y轴方向，将具有对于SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与要生成的晶片的厚度对应的深度，一边对SiC晶锭照射激光光线一边使SiC晶锭和该聚光点沿该X轴方向相对地进行加工进给，形成裂纹从SiC分离成Si和C的部分起沿着该c面延伸的带状的剥离带；以及

分度进给工序，使SiC晶锭和该聚光点沿该Y轴方向相对地进行分度进给，使剥离带沿该Y轴方向并排设置。

2.如权利要求1所述的SiC晶锭的加工方法，其进一步具备平坦面形成工序，在该剥离带形成工序之前对SiC晶锭的该端面进行磨削而使该端面形成为平坦面。

3.一种激光加工装置，其是在SiC晶锭中形成剥离带的激光加工装置，该激光加工装置具备：

保持工作台，其保持SiC晶锭；

激光光线照射单元，其包含聚光器，将与c面相对于该保持工作台所保持的SiC晶锭的端面倾斜而由SiC晶锭的该端面和该c面形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，将与该X轴方向垂直的方向作为Y轴方向，该聚光器将具有对于SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与要生成的晶片的厚度对应的深度而对SiC晶锭照射激光光线，形成裂纹从SiC分离成Si和C的部分起沿着该c面延伸的带状的剥离带；

X轴进给机构，其使该保持工作台和该聚光器沿该X轴方向相对地进行加工进给；

Y轴进给机构，其使该保持工作台和该聚光器沿该Y轴方向相对地进行分度进给；以及

电阻值测量器，其对SiC晶锭的该端面的电阻值进行测量。

4.如权利要求3所述的激光加工装置，其进一步具备控制单元，该控制单元与该电阻值测量器所测量的电阻值相对应地调整激光光线的输出。