[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：多个平板天线，被第一包封体包封；器件管芯，在垂直方向上与多个平板天线间隔开且电耦合到多个平板天线；以及至少一个重布线结构，设置在多个平板天线与器件管芯之间，且包括在侧向上环绕多个平板天线中的每一者的电磁带隙(EBG)结构。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张2019年12月12日提出申请的序列号为62/947,522的美国临时申请的优先权权益。上述专利申请的全部内容特此并入本案供参考且成为本说明书的一部分。

技术领域

本揭露实施例涉及一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

封装天线(antenna in package，AiP)将天线与集成器件管芯一起整合到封装结构中。AiP已由于高增益及宽带宽而被视为高速短程无线通信的最具前景天线解决方案之一。然而，仍需要进一步发展AiP以克服包括不期望的天线间耦合及天线与器件管芯之间的干扰在内的挑战。

发明内容

本揭露的一态样提供一种半导体封装，包括：多个平板天线，被第一包封体包封；器件管芯，在垂直方向上与所述多个平板天线间隔开，且电耦合到所述多个平板天线；以及至少一个重布线结构，设置在所述多个平板天线与所述器件管芯之间，且包括在侧向上环绕所述多个平板天线中的每一者的多个电磁带隙结构。

本揭露的另一态样提供一种半导体封装，包括：多个平板天线，形成在至少一个层叠层之上；器件管芯，在垂直方向上与所述多个平板天线间隔开，且电耦合到所述多个平板天线；以及至少一个重布线结构，设置在所述多个平板天线与所述器件管芯之间，且包括在侧向上环绕所述多个平板天线中的每一者的多个电磁带隙结构。

本揭露的又一态样提供一种半导体封装的制造方法，包括：在载体衬底上形成多个平板天线；以第一包封体包封所述多个平板天线；在所述第一包封体上形成第一重布线结构，其中所述第一重布线结构包括多个导电图案，所述多个导电图案在侧向上环绕所述多个平板天线中的每一者且与所述多个平板天线电隔离；在所述第一重布线结构上形成多个导电柱；以第二包封体包封所述多个导电柱；在所述第二包封体上形成第二重布线结构；将器件管芯贴合在所述第二重布线结构上；以及移除所述载体衬底。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是说明根据本公开一些实施例的半导体封装的示意性剖视图。

图1B是说明图1A中所示的半导体封装的上部包封体中的组件的示意性平面图。

图1C是说明包括图1A中所示的半导体封装10中包括上部重布线结构的组件的示意性平面图。

图1D是说明包括图1A中所示的半导体封装中的下部重布线结构中的接地平面的组件的示意性平面图。

图2A、图2C、图2E、图2G及图2I是说明根据本公开一些实施例的无源滤波器的示意性剖视图。

图2B、图2D、图2F、图2H及图2J分别是图2A、图2C、图2E、图2G及图2I中所示的无源滤波器的示意性平面图。

图3是说明根据本公开一些实施例的半导体封装的制造方法的流程图。

图4A到图4H是说明在图3中所示的制造方法期间的各个阶段处的结构的示意性剖视图。

图5是说明根据本公开一些实施例的半导体封装的制造方法的流程图。

图6A到图6M是说明在图5中所示的制造方法期间的各个阶段处的结构的示意性剖视图。

图7A是说明根据本公开一些实施例的半导体封装的示意性剖视图。