[发明专利]单片工艺腔的晶圆检测装置和方法

权利要求书

1.一种单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于，包括：光信号发射端、光信号接收端和模式控制部件；

所述模式控制部件在晶圆作业过程中关闭所述光信号发射端，以防止所述光信号发射端发射的光信号和作业过程中的所述晶圆的膜层产生光化学反应；

所述模式控制部件在所述晶圆作业之前打开所述光信号发射端；

所述模式控制部件在所述晶圆作业结束之后打开所述光信号发射端。

2.如权利要求1所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述晶圆作业之前包括将所述晶圆传送到单片工艺腔中并放置在所述单片工艺腔的载片台上的放片过程，所述光信号发射端和所述光信号接收端对放片过程中的所述晶圆进行检测，放片完成后，所述光信号发射端发射的光信号被所述晶圆阻挡而不被所述光信号接收端接收。

3.如权利要求2所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述晶圆作业结束之后包括将所述晶圆从单片工艺腔的载片台上取出的取片过程，取片完成后，所述光信号发射端发射的光信号被所述光信号接收端接收。

4.如权利要求1至3中任一权项所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述模式控制部件包括设置在所述光信号接收端的光电继电器；

在所述晶圆作业之前，所述晶圆放置在单片工艺腔的载片台上后，所述光信号发射端发射的光信号被所述晶圆阻挡而不被所述光电继电器接收，从而触发所述光电继电器断开所述光信号发射端的供电路径；

在所述载片台上未放置所述晶圆或所述晶圆被取走时，所述光信号发射端发射的光信号被所述光电继电器接收，从而触发所述光电继电器导通所述光信号发射端的供电路径。

5.如权利要求4所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述单片工艺腔包括单片湿法刻蚀工艺腔。

6.如权利要求5所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述晶圆上形成有铜层，所述晶圆的作业过程为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀中会使所述晶圆上的铜层表面暴露，在晶圆作业过程中关闭所述光信号发射端能防止在光化学反应催化下产生铜扩散。

7.如权利要求6所述的单片工艺腔的晶圆检测装置，其特征在于：所述湿法刻蚀为对所述晶圆上采用大马士革工艺形成的通孔开口内侧表面的聚合物残留物的刻蚀；或者，所述湿法刻蚀为对所述晶圆上采用双大马士革工艺形成的沟槽和通孔开口内侧表面的聚合物残留物的刻蚀。

8.一种单片工艺腔的晶圆检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在晶圆作业之前，模式控制部件控制光信号发射端和光信号接收端工作，以实现对所述晶圆的放片进行检测；

步骤二、在所述晶圆作业开始时所述模式控制部件关闭所述光信号发射端并在所述作业过程中使所述光信号发射端保持为关闭状态，以防止所述光信号发射端发射的光信号和作业过程中的所述晶圆的膜层产生光化学反应；

步骤三、在所述晶圆的作业完成后，模式控制部件控制光信号发射端和光信号接收端工作，以实现对所述晶圆的取片进行检测。

9.如权利要求8所述的单片工艺腔的晶圆检测方法，其特征在于：所述放片为将所述晶圆传送到单片工艺腔上并放置在所述单片工艺腔的载片台上；所述放片完成后，所述光信号发射端发射的光信号被所述晶圆阻挡而不被所述光信号接收端接收。

10.如权利要求9所述的单片工艺腔的晶圆检测方法，其特征在于：所述取片为将所述晶圆从单片工艺腔的载片台上取出；取片完成后，所述光信号发射端发射的光信号被所述光信号接收端接收。