[发明专利]可控变流电弧炉

权利要求书

1.一种可控变流电弧炉，其特征在于，包括：

移相变压器、三相变流器以及交流电弧炉；

所述移相变压器的一次侧用于连接三相电源，所述移相变压器的二次侧与所述三相变流器的输入端连接，所述三相变流器的输出端与所述交流电弧炉的电源输入端连接；

所述三相变流器的受控端用于接收外部驱动脉冲信号。

2.如权利要求1所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述移相变压器的二次侧包括N个相互隔离的次级线圈，每个次级线圈均包括三组三相线圈；

所述三相变流器包括3N个整流逆变单元；

各组三相线圈与各个整流逆变单元一一对应连接；

所述3N个整流逆变单元的输出端并联构成所述三相变流器的输出端；

其中N为大于零的整数。

3.如权利要求2所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述三组三相线圈包括第一组三相线圈、第二组三相线圈、第三组三相线圈；

所述整流逆变单元包括第一逆变输出端和第二逆变输出端；

各个第一组三相线圈对应的第一逆变输出端共接后构成所述三相变流器的第一相输出端，各个第二组三相线圈对应的第一逆变输出端共接后构成所述三相变流器的第二相输出端，各个第三组三相线圈对应的第一逆变输出端共接后构成所述三相变流器的第三相输出端；

各个第一组三相线圈对应的第二逆变输出端、各个第二组三相线圈对应的第二逆变输出端、各个第三组三相线圈对应的第二逆变输出端共接。

4.如权利要求2所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述整流逆变单元包括三相不控整流电路与H桥全控逆变电路；

所述三相不控整流电路的输入端与所述移相变压器的三相线圈对应连接，所述三相不控整流电路的输出端与所述H桥全控逆变电路的输入端连接；

3N个H桥全控逆变电路的输出端并联构成所述三相变流器的输出端；

3N个H桥全控逆变电路的受控端构成所述三相变流器的受控端。

5.如权利要求4所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述三相不控整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管；

所述第一二极管的负极端、第三二极管的负极端、第五二极管的负极端共接，所述第二二极管的正极端、第四二极管的正极端、第六二极管的正极端共接；

所述第二二极管的负极端与所述第一二极管的正极端连接所构成的连接端为所述三相不控整流电路的第一输入端；所述第四二极管的负极端与所述第三二极管的正极端连接所构成的连接端为所述三相不控整流电路的第二输入端；所述第六二极管的负极端与所述第五二极管的正极端连接所构成的连接端为所述三相不控整流电路的第三输入端；

所述三相不控整流电路的第一输入端、第二输入端、第三输入端与所述移相变压器的三相线圈对应连接；

所述第一二极管的负极端、所述第二二极管的正极端构成所述三相不控整流电路的输出端。

6.如权利要求5所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述三相不控整流电路还包括滤波电容；

所述滤波电容的第一端与所述第一二极管的负极端连接，所述滤波电容的第二端与所述第二二极管的正极端连接。

7.如权利要求4所述的可控变流电弧炉，其特征在于，所述H桥全控逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管；

所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的源极连接，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极连接；

所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极连接；

所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的漏极构成所述H桥全控逆变电路的输入端，所述第一晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极构成所述H桥全控逆变电路的输出端，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极构成所述H桥全控逆变电路的受控端。