[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011422446.5 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN113130550A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 李时圭;金荣浩;金宰铉 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;董娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,在所述基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素;
存储电容器,其布置在所述电路区域中,并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极;
驱动晶体管,其布置在所述电路区域中;以及
发光二极管,其布置在所述多个子像素中的每个中,
其中,所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素,并且
其中,所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述白色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上,并且所述白色子像素的第二电容器电极布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极下方。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。
5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:
缓冲层,其布置在所述基板和所述第一电容器电极上;以及
栅绝缘层,其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方,
其中,所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间,并且
其中,所述缓冲层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。
6.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:
缓冲层,其布置在所述基板上;
栅绝缘层,其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方;以及
钝化层,其布置在所述第一栅电极上方,
其中,所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间,并且
其中,所述钝化层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光二极管包括:第一电极,其布置在所述发射区域中;以及延伸部,其从所述第一电极延伸至所述电路区域,并且
其中,所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第二电容器电极一体地形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第一电容器电极交叠,并且
其中,所述白色子像素的延伸部的面积大于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的延伸部的面积。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
平坦化层,其使所述存储电容器和所述驱动晶体管的上部平坦化,
其中,所述发光二极管包括:
第一电极,其被布置在所述平坦化层上;
发光层,其被布置在所述第一电极上,并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中;以及
第二电极,其被布置在所述发光层上,并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中,
其中,所述多个子像素的第一电极被彼此间隔开,并且
其中,所述发光层被布置在彼此间隔开的第一电极之间。
10.一种显示装置,包括:
基板,在所述基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素;
存储电容器,其布置在所述多个子像素中的每个中,并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极;
驱动晶体管,其布置在所述多个子像素中的每个中;以及
发光二极管,其布置在所述多个子像素中的每个中,
其中,所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的