[发明专利]适用于激光隐形切割的划片道结构及其制备方法

权利要求书

1.一种适用于激光隐形切割的划片道结构，包括衬底（1）、制备于所述衬底（1）上的器件体（2）以及设置于所述器件体（2）外圈的划片道（3），其特征是：

还包括设置于划片道（3）上的金属层支撑体，在器件体（2）上沉积金属层时，通过金属层支撑体支撑位于划片道（3）上的金属，并能在所述金属层支撑体上形成非连续的划片道金属层（7），通过金属层支撑体以及所述金属层支撑体上的划片道金属层（7）形成能降低金属反射率的划片道低反射体；

所述器件体（2）包括器件电极（4），在器件电极（4）的外圈设置电极纳米森林，在所述电极纳米森林上设置非连续的电极金属层，所述电极金属层的厚度为5-50nm；

通过电极纳米森林以及设置于所述电极纳米森林上的非连续的电极金属层实现器件之间的绝缘隔离。

2.根据权利要求1所述的适用于激光隐形切割的划片道结构，其特征是：所述金属层支撑体包括设置于划片道（3）上的划片道纳米森林（6），所述划片道纳米森林（6）包括若干纳米纤维体，所述纳米纤维体的高度为1μm~50μm，纳米纤维体的直径为10nm~300nm。

3.一种适用于激光隐形切割的划片道结构的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1、提供衬底（1），并在所述衬底（1）的划片道（3）上设置金属层支撑体；

步骤2、在衬底（1）的器件体（2）进行金属淀积时，利用金属层支撑体能支撑位于划片道（3）上的金属，以在所述金属层支撑体上形成非连续的划片道金属层（7），通过金属层支撑体以及所述金属层支撑体上的划片道金属层（7）形成能降低金属反射率的划片道低反射体；

金属层支撑体包括设置于划片道（3）上的划片道纳米森林（6）；

所述器件体（2）包括若干器件电极（4），在器件电极（4）的外圈设置电极纳米森林，在所述电极纳米森林上设置非连续的电极金属层；

通过电极纳米森林以及设置于所述电极纳米森林上的非连续的电极金属层实现器件之间的绝缘隔离。

4.根据权利要求3所述适用于激光隐形切割的划片道结构的制备方法，其特征是，金属层支撑体为划片道纳米森林（6）时，在划片道（3）上设置划片道聚合物层（5），通过对所述划片道聚合物层（5）进行等离子体轰击，以能得到所需的划片道纳米森林（6）。

5.根据权利要求4所述适用于激光隐形切割的划片道结构的制备方法，其特征是，所述划片道聚合物层（5）通过喷涂或旋涂设置于衬底（1）的划片道（3）上；等离子体轰击包括氧等离子体轰击、氩等离子体轰击、氧等离子体与氩等离子体交替轰击、或氧等离子体与氩等离子体共同轰击。

6.根据权利要求3或4或5所述适用于激光隐形切割的划片道结构的制备方法，其特征是，所述划片道纳米森林（6）包括若干纳米纤维体，所述纳米纤维体的高度为1μm~50μm，纳米纤维体的直径为10nm~300nm。

7.根据权利要求3或4或5所述适用于激光隐形切割的划片道结构的制备方法，其特征是，所述划片道金属层的厚度为5-50nm。