[发明专利]带有扫描线圈的离子镀膜装置

权利要求书

1.一种带有扫描线圈的离子镀膜装置，用于对工件(11)镀膜，其特征在于，包括：

离子源，被配置为释放用于所述工件(11)镀膜的等离子体；和

扫描线圈(2)，包括同轴设置的第一线圈(16)和第二线圈(17)；

控制器(9)，与所述第一线圈(16)和所述第二线圈(17)信号连接，被配置为通过控制所述第一线圈(16)和第二线圈(17)的通电情况以使所述扫描线圈(2)产生不同状态的磁场以控制所述等离子体的运动方向，以控制所述等离子体在所述工件(11)上的沉积区域。

2.如权利要求1所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述控制器(9)和所述扫描线圈(2)被配置为使所述扫描线圈(2)具有：

第一状态，在所述第一状态，过所述扫描线圈(2)的轴线的中心平面的第一侧的磁场强度大于与所述第一侧相对的所述中心平面的第二侧的磁场强度；

第二状态，在所述第二状态，所述第二侧的磁场强度大于所述第一侧的磁场强度；和

第三状态，在所述扫描线圈(2)的第三状态，所述第二侧的磁场强度等于所述第一侧的磁场强度。

3.如权利要求1或2所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述第一线圈(16)和所述第二线圈(17)交替螺旋缠绕，所述第一线圈(16)在所述第一侧的线圈匝数大于其位于所述第二侧的线圈匝数，所述第二线圈(17)在所述第一侧的线圈匝数小于其位于所述第二侧的线圈匝数，所述第一线圈(16)和所述第二线圈(17)在所述第一侧的线圈匝数之和等于所述第一线圈(16)和所述第二线圈(17)在所述第二侧的线圈匝数之和。

4.如权利要求3所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述第一线圈(16)包括位于所述第一侧的两匝线圈和位于所述第二侧的一匝线圈，所述第二线圈(17)包括位于所述第一侧的一匝线圈和位于所述第二侧的两匝线圈。

5.如权利要求2所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述控制器(9)被配置为:

在所述扫描线圈(2)的第一状态，控制所述第一线圈(16)通入电流，所述第二线圈(17)不通入电流或通入小于所述第一线圈(16)的电流；

在所述扫描线圈(2)的第二状态，所述第二线圈(17)通入电流，所述第一线圈(16)不通入电流或通入小于所述第二线圈(17)的电流；

在所述扫描线圈(2)的第三状态，所述第一线圈(16)和所述第二线圈(17)均通入同等大小的电流。

6.如权利要求1所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述离子源包括：

真空室(1)；

阴极靶(6)，位于所述真空室(1)内，用于释放往所述工件(11)上镀膜的等离子体；

引弧极(5)，位于所述真空室(1)内，位于所述阴极靶(6)周围，与所述阴极靶(6)之间具有第一电场；

点火器(4)，位于所述真空室(1)内，用于点火产生运动至所述阴极靶(6)与所述引弧极(5)之间的等离子体；

阳极(3)，位于所述真空室(1)内，设置于所述扫描线圈(2)与所述阴极靶(6)之间，所述阳极(3)内设有允许所述阴极靶(6)所释放的等离子体通过的通道，所述阳极(3)与所述阴极靶(6)之间具有第二电场。

7.如权利要求6所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述阳极(3)为具有矩形通道的矩形阳极，所述阴极靶(6)具有矩形表面，所述矩形通道与所述阴极靶的矩形表面相对。

8.如权利要求6所述的带有扫描线圈的离子镀膜装置，其特征在于，所述点火器(4)包括第一环形石墨电极(12)、第二环形石墨电极(14)和位于所述第一环形石墨电极(12)、第二环形石墨电极(14)之间的陶瓷环(13)，所述陶瓷环(13)的内圈上设有石墨，所述引弧极(5)为第三环形石墨电极，所述第一环形石墨电极(12)、所述陶瓷环(13)的内圈、所述第二环形石墨电极(14)和所述第三环形石墨电极同轴，所述阴极靶(6)为石墨阴极，所述阴极靶(6)位于所述第三环形石墨电极的内圈中。