[发明专利]一种提高偏振消光比的方法、装置及系统

权利要求书

1.一种提高偏振消光比的方法，其特征在于，包括：

确定宽波导的长度；

确定宽波导的长度后，对相移波导的长度进行调节，获得相移波导的均衡后长度；

确定相移波导的均衡后长度，再对宽波导的长度进行调节，获得宽波导的调节后长度；

根据相移波导的均衡后长度和宽波导的调节后长度对TE模和TM模的消光比进行判断，若满足预设条件，则确定相移波导的均衡后长度和宽波导的调节后长度为调节参数，根据调节参数进行偏振消光比调节；若不满足预设条件，则重新确定宽波导的长度。

2.根据权利要求1所述的提高偏振消光比的方法，其特征在于，预设条件为TE模和TM模的消光比均大于30dB。

3.根据权利要求1所述的提高偏振消光比的方法，其特征在于，相移波导的均衡后长度为1920_μm，宽波导的调节后长度为3650_μm。

4.一种偏振分束器，其特征在于，包括：第一耦合器和第二耦合器；其中，第一耦合器具有第一输出端和第二输出端；第二耦合器具有第三输入端和第四输入端；

第一输出端与第一窄波导、第一锥形过渡波导、宽波导、第二锥形过渡波导和第二窄波导依次连接，第二窄波导与第三输入端连接；

第二输出端与相移波导、第三锥形过渡波导、第四锥形过渡波导和第三窄波导依次相连，第三窄波导与第四输入端连接；

其中，所述宽波导的调节后长度和所述相移波导的均衡后长度通过如权利要求1-3中任意一项所述的提高偏振消光比的方法调节获得。

5.根据权利要求4所述的偏振分束器，其特征在于，所述第一耦合器和所述第二耦合器均采用定向耦合器、Y型耦合器或MMI型耦合器中的任意一种。

6.一种解码芯片，其特征在于，包括：如权利要求4或5所述的偏振分束器、半波片、非对称马赫曾德干涉仪和相位调制电极；偏振分束器与半波片连接；半波片与非对称马赫曾德干涉仪连接；非对称马赫曾德干涉仪和相位调制电极连接。

7.根据权利要求6所述的解码芯片，其特征在于，偏振分束器与半波片通过波导连接；半波片与非对称马赫曾德干涉仪通过波导连接；非对称马赫曾德干涉仪和相位调制电极通过波导连接。

8.一种编解码系统，其特征在于，包括通过光纤连接的编码端和解码端，其中，解码端中包括权利要求6或7所述的解码芯片。

9.根据权利要求8所述的编解码系统，其特征在于，编码端包括依次连接的皮秒脉冲激光器、编码芯片、铌酸锂相位调制器A、衰减器；解码端还包括铌酸锂相位调制器B，铌酸锂相位调制器B分别与衰减器和解码芯片连接。

10.根据权利要求9所述的编解码系统，其特征在于，皮秒脉冲激光器、编码芯片、铌酸锂相位调制器A和衰减器通过光纤依次连接；铌酸锂相位调制器B分别与衰减器和解码芯片通过光纤连接。