[发明专利]铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法

权利要求书

1.铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备光波导；

在所述原料铌酸锂晶圆上具有所述光波导的一侧制备介质膜，所述介质膜填充在所述光波导之间的空隙内，所述光波导与所述介质膜形成光波导介质层；

穿过所述光波导介质层朝向所述原料铌酸锂晶圆注入离子，在所述光波导介质层的下方形成离子层；

将支撑晶圆与所述光波导介质层键合；

加热至第一预设温度；

加热至第二预设温度，使所述光波导介质层与所述原料铌酸锂晶圆分离并存留在所述支撑晶圆上，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；

对所述光波导介质层进行抛光处理。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述介质膜的材料的折射率和所述支撑晶圆的材料的折射率均小于铌酸锂材料的折射率。

3.根据权利要求2所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述介质膜的材料为二氧化硅或苯并环丁烯。

4.根据权利要求1至3任一项所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在对所述光波导介质层进行抛光处理的步骤之后，所述制作方法还包括：

采用湿法刻蚀的方法去除所述介质膜。

5.根据权利要求1至3任一项所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在制备介质膜的步骤中，所述介质膜覆盖所述光波导。

6.根据权利要求5所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在形成光波导介质层之后，且在将支撑晶圆与所述光波导介质层键合之前，所述制作方法还包括：

对所述光波导介质层进行抛光处理，直至所述光波导露出。

7.根据权利要求1至3任一项所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

采用镀膜工艺或采用液态有机物涂布的方式制备所述介质膜。

8.根据权利要求1至3任一项所述的铌酸锂单晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述第一预设温度为200℃至230℃，所述第二预设温度为250℃至350℃。

9.铌酸锂单晶薄膜芯片，其特征在于，所述铌酸锂单晶薄膜芯片由上述权利要求1至8任一项所述的制作方法制作而成；

所述铌酸锂单晶薄膜芯片包括支撑晶圆和位于所述支撑晶圆上的光波导。

10.根据权利要求9所述的铌酸锂单晶薄膜芯片，其特征在于：

所述光波导的侧壁垂直于所述支撑晶圆的表面。